Datasheet.kr   

BUP602D 데이터시트 PDF




Siemens Semiconductor Group에서 제조한 전자 부품 BUP602D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUP602D 자료 제공

부품번호 BUP602D 기능
기능 IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode)
제조업체 Siemens Semiconductor Group
로고 Siemens Semiconductor Group 로고


BUP602D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BUP602D 데이터시트, 핀배열, 회로
BUP 602D
IGBT With Antiparallel Diode
Preliminary data
• Low forward voltage drop
• High switching speed
• Low tail current
• Latch-up free
• Including fast free-wheel diode
Type
BUP 602D
VCE IC
600V 36A
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
RGE = 20 k
Gate-emitter voltage
DC collector current
TC = 25 °C
TC = 90 °C
Pulsed collector current, tp = 1 ms
TC = 25 °C
TC = 90 °C
Diode forward current
TC = 90 °C
Pulsed diode current, tp = 1 ms
TC = 25 °C
Power dissipation
TC = 25 °C
Chip or operating temperature
Storage temperature
Package
TO-218 AB
Symbol
VCE
VCGR
VGE
IC
ICpuls
IF
IFpuls
Ptot
Tj
Tstg
Pin 1
G
Pin 2
C
Pin 3
E
Ordering Code
Q67040-A4229-A2
Values
600
Unit
V
600
± 20
36
22
A
72
40
31
180
150
- 55 ... + 150
- 55 ... + 150
W
°C
Semiconductor Group
1
Jul-31-1996




BUP602D pdf, 반도체, 판매, 대치품
BUP 602D
Power dissipation
Ptot = ƒ(TC)
parameter: Tj 150 °C
160
W
Ptot
120
100
80
60
40
20
0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Collector current
IC = ƒ(TC)
parameter: VGE 15 V , Tj 150 °C
36
A
IC 28
24
20
16
12
8
4
0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Safe operating area
IC = ƒ(VCE)
parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj 150 °C
10 2
tp = 17.0µs
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp)
parameter: D = tp / T
IGBT
10 0
A
IC
10 1
100 µs
K/W
ZthJC
10 -1
10 0
10 -1
10 0
10 1
Semiconductor Group
1 ms
10 ms
DC
10 2 V 10 3
VCE
4
10 -2
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
tp
s 10 0
Jul-31-1996

4페이지










BUP602D 전자부품, 판매, 대치품
BUP 602D
Typ. gate charge
VGE = ƒ(QGate)
parameter: IC puls = 20 A
20
V
VGE 16
14
100 V
300 V
12
10
8
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 nC 90
QGate
Short circuit safe operating area
ICsc = f (VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = ± 15 V, tsc 10 µs, L < 50 nH
10
Typ. capacitances
C = f (VCE)
parameter: VGE = 0 V, f = 1 MHz
10 1
nF
C
10 0
Ciss
10 -1
Coss
Crss
10 -2
0
5 10 15 20 25 30 V 40
VCE
Reverse biased safe operating area
ICpuls = f (VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = 15 V
2.5
ICsc/IC(90°C)
6
ICpuls/IC
1.5
4 1.0
2
0
0 100 200 300 400 500 600 V 800
VCE
Semiconductor Group
7
0.5
0.0
0
100 200 300 400 500 600
V 800
VCE
Jul-31-1996

7페이지


구       성 총 9 페이지수
다운로드[ BUP602D.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BUP602D

IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode)

Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵