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부품번호 | BUP602D 기능 |
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기능 | IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode) | ||
제조업체 | Siemens Semiconductor Group | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
BUP 602D
IGBT With Antiparallel Diode
Preliminary data
• Low forward voltage drop
• High switching speed
• Low tail current
• Latch-up free
• Including fast free-wheel diode
Type
BUP 602D
VCE IC
600V 36A
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
RGE = 20 kΩ
Gate-emitter voltage
DC collector current
TC = 25 °C
TC = 90 °C
Pulsed collector current, tp = 1 ms
TC = 25 °C
TC = 90 °C
Diode forward current
TC = 90 °C
Pulsed diode current, tp = 1 ms
TC = 25 °C
Power dissipation
TC = 25 °C
Chip or operating temperature
Storage temperature
Package
TO-218 AB
Symbol
VCE
VCGR
VGE
IC
ICpuls
IF
IFpuls
Ptot
Tj
Tstg
Pin 1
G
Pin 2
C
Pin 3
E
Ordering Code
Q67040-A4229-A2
Values
600
Unit
V
600
± 20
36
22
A
72
40
31
180
150
- 55 ... + 150
- 55 ... + 150
W
°C
Semiconductor Group
1
Jul-31-1996
BUP 602D
Power dissipation
Ptot = ƒ(TC)
parameter: Tj ≤ 150 °C
160
W
Ptot
120
100
80
60
40
20
0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Collector current
IC = ƒ(TC)
parameter: VGE ≥ 15 V , Tj ≤ 150 °C
36
A
IC 28
24
20
16
12
8
4
0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Safe operating area
IC = ƒ(VCE)
parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj ≤ 150 °C
10 2
tp = 17.0µs
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp)
parameter: D = tp / T
IGBT
10 0
A
IC
10 1
100 µs
K/W
ZthJC
10 -1
10 0
10 -1
10 0
10 1
Semiconductor Group
1 ms
10 ms
DC
10 2 V 10 3
VCE
4
10 -2
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
tp
s 10 0
Jul-31-1996
4페이지 BUP 602D
Typ. gate charge
VGE = ƒ(QGate)
parameter: IC puls = 20 A
20
V
VGE 16
14
100 V
300 V
12
10
8
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 nC 90
QGate
Short circuit safe operating area
ICsc = f (VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = ± 15 V, tsc ≤ 10 µs, L < 50 nH
10
Typ. capacitances
C = f (VCE)
parameter: VGE = 0 V, f = 1 MHz
10 1
nF
C
10 0
Ciss
10 -1
Coss
Crss
10 -2
0
5 10 15 20 25 30 V 40
VCE
Reverse biased safe operating area
ICpuls = f (VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = 15 V
2.5
ICsc/IC(90°C)
6
ICpuls/IC
1.5
4 1.0
2
0
0 100 200 300 400 500 600 V 800
VCE
Semiconductor Group
7
0.5
0.0
0
100 200 300 400 500 600
V 800
VCE
Jul-31-1996
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