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BUT11 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUT11은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUT11 자료 제공

부품번호 BUT11 기능
기능 Silicon diffused power transistors
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUT11 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 12 페이지수

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BUT11 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BUT11; BUT11A
Silicon diffused power transistors
Product specification
Supersedes data of February 1996
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 13




BUT11 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUT11; BUT11A
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN. TYP. MAX. UNIT
VCEOsust collector-emitter sustaining voltage IC = 100 mA; IBoff = 0; L = 25 mH; see
BUT11
Figs 5 and 6
400
BUT11A
450
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
BUT11
BUT11A
IC = 3 A; IB = 600 mA; see Figs 7 and 9
IC = 2.5 A; IB = 500 mA; see
Figs 7 and 9
VBEsat
ICES
base-emitter saturation voltage
BUT11
BUT11A
collector-emitter cut-off current
IC = 3 A; IB = 0.6 A; see Fig.7
IC = 2.5 A; IB = 0.5 A; see Fig.7
VCE = VCESMmax; VBE = 0; note 1
VCE = VCESMmax; VBE = 0; Tj = 125 °C;
note 1
IEBO emitter-base cut-off current
hFE DC current gain
VEB = 9 V; IC = 0
VCE = 5 V; IC = 5 mA; see Fig.10
VCE = 5 V; IC = 500 mA; see Fig.10
10
10
Switching times resistive load (see Fig.12)
18
20
V
V
1.5 V
1.5 V
1.3 V
1.3 V
1 mA
2 mA
10 mA
35
35
ton turn-on time
BUT11
BUT11A
ts storage time
BUT11
BUT11A
tf fall time
BUT11
BUT11A
Switching times inductive load (see Fig.14)
ICon = 3 A; IBon = IBoff = 600 mA
ICon = 2.5 A; IBon = IBoff = 500 mA
ICon = 3 A; IBon = IBoff = 600 mA
ICon = 2.5 A; IBon = IBoff = 500 mA
ICon = 3 A; IBon = IBoff = 600 mA
ICon = 2.5 A; IBon = IBoff = 500 mA
− − 1 µs
− − 1 µs
− − 4 µs
− − 4 µs
− − 0.8 µs
− − 0.8 µs
ts storage time
BUT11
BUT11A
tf fall time
BUT11
BUT11A
ICon = 3 A; IBon = 600 mA
ICon = 3 A; IBon = 600 mA; Tj = 100 °C
ICon = 2.5 A; IBon = 500 mA
ICon = 2.5 A; IBon = 500 mA; Tj = 100 °C
ICon = 3 A; IBon = 600 mA
ICon = 3 A; IBon = 600 mA; Tj = 100 °C
ICon = 2.5 A; IBon = 500 mA
ICon = 2.5 A; IBon = 500 mA; Tj = 100 °C
1.1 1.4 µs
1.2 1.5 µs
1.1 1.4 µs
1.2 1.5 µs
80 150 ns
140 300 ns
80 150 ns
140 300 ns
Note
1. Measured with a half-sinewave voltage (curve tracer).
1997 Aug 13
3

4페이지










BUT11 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUT11; BUT11A
1.6
handbook, full pagewidth
VBE
(V)
1.4
1.2
1.0
MGB910
(1)
(2)
(3)
0.8
0
Tj = 25 °C.
(1) IC = 5 A.
0.25 0.5 0.75 1.0
(2) IC = 3 A.
(3) IC = 1.5 A.
Fig.8 Base-emitter voltage as a function of base current.
1.25 IB (A)
1.5
10
handbook, halfpage
VCEsat
(V)
1
(1) (2) (3)
MGB873
handboo1k,0h2alfpage
hFE
10
VCE = 5 V
1V
MBC095
101
102
101
1 IB (A) 10
(1) IC = 1.5 A.
(2) IC = 3 A.
(3) IC = 5 A.
Tj = 25 °C; solid line: typical values; dotted line: maximum values.
Fig.9 Collector-emitter saturation voltage as a
function of base current.
1997 Aug 13
6
1
102
101
1
10 102
IC (A)
Fig.10 DC current gain; typical values.

7페이지


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