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부품번호 | BUT11 기능 |
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기능 | Silicon diffused power transistors | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 12 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BUT11; BUT11A
Silicon diffused power transistors
Product specification
Supersedes data of February 1996
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 13
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUT11; BUT11A
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN. TYP. MAX. UNIT
VCEOsust collector-emitter sustaining voltage IC = 100 mA; IBoff = 0; L = 25 mH; see
BUT11
Figs 5 and 6
400
BUT11A
450
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
BUT11
BUT11A
IC = 3 A; IB = 600 mA; see Figs 7 and 9 −
IC = 2.5 A; IB = 500 mA; see
Figs 7 and 9
−
VBEsat
ICES
base-emitter saturation voltage
BUT11
BUT11A
collector-emitter cut-off current
IC = 3 A; IB = 0.6 A; see Fig.7
IC = 2.5 A; IB = 0.5 A; see Fig.7
VCE = VCESMmax; VBE = 0; note 1
VCE = VCESMmax; VBE = 0; Tj = 125 °C;
note 1
−
−
−
−
IEBO emitter-base cut-off current
hFE DC current gain
VEB = 9 V; IC = 0
VCE = 5 V; IC = 5 mA; see Fig.10
VCE = 5 V; IC = 500 mA; see Fig.10
−
10
10
Switching times resistive load (see Fig.12)
−
−
−
−
−
−
−
−
−
18
20
−V
−V
1.5 V
1.5 V
1.3 V
1.3 V
1 mA
2 mA
10 mA
35
35
ton turn-on time
BUT11
BUT11A
ts storage time
BUT11
BUT11A
tf fall time
BUT11
BUT11A
Switching times inductive load (see Fig.14)
ICon = 3 A; IBon = −IBoff = 600 mA
ICon = 2.5 A; IBon = −IBoff = 500 mA
ICon = 3 A; IBon = −IBoff = 600 mA
ICon = 2.5 A; IBon = −IBoff = 500 mA
ICon = 3 A; IBon = −IBoff = 600 mA
ICon = 2.5 A; IBon = −IBoff = 500 mA
− − 1 µs
− − 1 µs
− − 4 µs
− − 4 µs
− − 0.8 µs
− − 0.8 µs
ts storage time
BUT11
BUT11A
tf fall time
BUT11
BUT11A
ICon = 3 A; IBon = 600 mA
−
ICon = 3 A; IBon = 600 mA; Tj = 100 °C −
ICon = 2.5 A; IBon = 500 mA
−
ICon = 2.5 A; IBon = 500 mA; Tj = 100 °C −
ICon = 3 A; IBon = 600 mA
−
ICon = 3 A; IBon = 600 mA; Tj = 100 °C −
ICon = 2.5 A; IBon = 500 mA
−
ICon = 2.5 A; IBon = 500 mA; Tj = 100 °C −
1.1 1.4 µs
1.2 1.5 µs
1.1 1.4 µs
1.2 1.5 µs
80 150 ns
140 300 ns
80 150 ns
140 300 ns
Note
1. Measured with a half-sinewave voltage (curve tracer).
1997 Aug 13
3
4페이지 Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUT11; BUT11A
1.6
handbook, full pagewidth
VBE
(V)
1.4
1.2
1.0
MGB910
(1)
(2)
(3)
0.8
0
Tj = 25 °C.
(1) IC = 5 A.
0.25 0.5 0.75 1.0
(2) IC = 3 A.
(3) IC = 1.5 A.
Fig.8 Base-emitter voltage as a function of base current.
1.25 IB (A)
1.5
10
handbook, halfpage
VCEsat
(V)
1
(1) (2) (3)
MGB873
handboo1k,0h2alfpage
hFE
10
VCE = 5 V
1V
MBC095
10−1
10−2
10−1
1 IB (A) 10
(1) IC = 1.5 A.
(2) IC = 3 A.
(3) IC = 5 A.
Tj = 25 °C; solid line: typical values; dotted line: maximum values.
Fig.9 Collector-emitter saturation voltage as a
function of base current.
1997 Aug 13
6
1
10−2
10−1
1
10 102
IC (A)
Fig.10 DC current gain; typical values.
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