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BUT12AF 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUT12AF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUT12AF 자료 제공

부품번호 BUT12AF 기능
기능 Silicon diffused power transistors
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUT12AF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 12 페이지수

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BUT12AF 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BUT12F; BUT12AF
Silicon diffused power transistors
Product specification
Supersedes data of February 1996
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 13




BUT12AF pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUT12F; BUT12AF
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN. TYP. MAX. UNIT
VCEOsust collector-emitter sustaining voltage IC = 100 mA; IBoff = 0; L = 25 mH;
BUT12F
see Figs 5 and 6
400
BUT12AF
450
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
BUT12F
IC = 6 A; IB = 1.2 A; see
Figs 7 and 9
BUT12AF
IC = 5 A; IB = 1 A; see
Figs 7 and 9
VBEsat
ICES
IEBO
hFE
base-emitter saturation voltage
BUT12F
BUT12AF
collector-emitter cut-off current
emitter-base cut-off current
DC current gain
IC = 6 A; IB = 1.2 A; see Fig.7
IC = 5 A; IB = 1 A; see Fig.7
VCE = VCESMmax; VBE = 0; note 1
VCE = VCESMmax; VBE = 0;
Tj = 125 °C; note 1
VEB = 9 V; IC = 0
VCE = 5 V; IC = 10 mA; see Fig.10
VCE = 5 V; IC = 1 A; see Fig.10
10
10
Switching times resistive load (see Fig.12)
18
20
V
V
1.5 V
1.5 V
1.5 V
1.5 V
1 mA
3 mA
10 mA
35
35
ton turn-on time
BUT12F
BUT12AF
ts storage time
BUT12F
BUT12AF
tf fall time
BUT12F
BUT12AF
ICon = 6 A; IBon = IBoff = 1.2 A
1
µs
ICon = 5 A; IBon = IBoff = 1 A
− − 1 µs
ICon = 6 A; IBon = IBoff = 1.2 A
4
µs
ICon = 5 A; IBon = IBoff = 1 A
− − 4 µs
ICon = 6 A; IBon = IBoff = 1.2 A
0.8 µs
ICon = 5 A; IBon = IBoff = 1 A
− − 0.8 µs
Switching times inductive load (see Fig.14)
ts storage time
BUT12F
BUT12AF
tf fall time
BUT12F
BUT12AF
ICon = 6 A; IBon = 1.2 A;
VCL = 250 V; Tc = 100 °C
ICon = 5 A; IBon = 1 A;
VCL = 300 V; Tc = 100 °C
ICon = 6 A; IBon = 1.2 A;
VCL = 250 V; Tc = 100 °C
ICon = 5 A; IBon = 1 A;
VCL = 300 V; Tc = 100 °C
1.9 2.5 µs
1.9 2.5 µs
200 300 ns
200 300 ns
Note
1. Measured with a half-sinewave voltage (curve tracer).
1997 Aug 13
3

4페이지










BUT12AF 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUT12F; BUT12AF
2.0
handbook, full pagewidth
VBEsat
VCEsat
(V)
1.5
MGB914
1.0
(1)
(2)
0.5
(3)
0
101
IC/IB = 5.
(4)
1
(1) VBE; Tj = 25 °C.
(2) VBE; Tj = 100 °C.
(3) VCE; Tj = 100 °C.
(4) VCE; Tj = 25 °C.
10
IC (A)
102
Fig.7 Base-emitter and collector-emitter saturation voltages as functions of base current; typical values.
1.6
handbook, full pagewidth
VBE
(V)
1.4
1.2
1.0
(1)
(2)
(3)
MGB911
0.8
0
Tj = 25 °C.
(1) IC = 8 A.
1997 Aug 13
0.5 1 1.5 2 2.5 IB (A)
(2) IC = 6 A.
(3) IC = 3 A.
Fig.8 Base-emitter voltage as a function of collector current; typical values.
3
6

7페이지


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