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부품번호 | BUT12F 기능 |
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기능 | Silicon diffused power transistors | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 12 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BUT12F; BUT12AF
Silicon diffused power transistors
Product specification
Supersedes data of February 1996
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 13
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUT12F; BUT12AF
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN. TYP. MAX. UNIT
VCEOsust collector-emitter sustaining voltage IC = 100 mA; IBoff = 0; L = 25 mH;
BUT12F
see Figs 5 and 6
400
BUT12AF
450
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
BUT12F
IC = 6 A; IB = 1.2 A; see
Figs 7 and 9
−
BUT12AF
IC = 5 A; IB = 1 A; see
Figs 7 and 9
−
VBEsat
ICES
IEBO
hFE
base-emitter saturation voltage
BUT12F
BUT12AF
collector-emitter cut-off current
emitter-base cut-off current
DC current gain
IC = 6 A; IB = 1.2 A; see Fig.7
IC = 5 A; IB = 1 A; see Fig.7
VCE = VCESMmax; VBE = 0; note 1
VCE = VCESMmax; VBE = 0;
Tj = 125 °C; note 1
VEB = 9 V; IC = 0
VCE = 5 V; IC = 10 mA; see Fig.10
VCE = 5 V; IC = 1 A; see Fig.10
−
−
−
−
−
10
10
Switching times resistive load (see Fig.12)
−
−
−
−
−
−
−
−
−
18
20
−V
−V
1.5 V
1.5 V
1.5 V
1.5 V
1 mA
3 mA
10 mA
35
35
ton turn-on time
BUT12F
BUT12AF
ts storage time
BUT12F
BUT12AF
tf fall time
BUT12F
BUT12AF
ICon = 6 A; IBon = −IBoff = 1.2 A
−
−
1
µs
ICon = 5 A; IBon = −IBoff = 1 A
− − 1 µs
ICon = 6 A; IBon = −IBoff = 1.2 A
−
−
4
µs
ICon = 5 A; IBon = −IBoff = 1 A
− − 4 µs
ICon = 6 A; IBon = −IBoff = 1.2 A
−
−
0.8 µs
ICon = 5 A; IBon = −IBoff = 1 A
− − 0.8 µs
Switching times inductive load (see Fig.14)
ts storage time
BUT12F
BUT12AF
tf fall time
BUT12F
BUT12AF
ICon = 6 A; IBon = 1.2 A;
VCL = 250 V; Tc = 100 °C
ICon = 5 A; IBon = 1 A;
VCL = 300 V; Tc = 100 °C
ICon = 6 A; IBon = 1.2 A;
VCL = 250 V; Tc = 100 °C
ICon = 5 A; IBon = 1 A;
VCL = 300 V; Tc = 100 °C
− 1.9 2.5 µs
− 1.9 2.5 µs
− 200 300 ns
− 200 300 ns
Note
1. Measured with a half-sinewave voltage (curve tracer).
1997 Aug 13
3
4페이지 Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUT12F; BUT12AF
2.0
handbook, full pagewidth
VBEsat
VCEsat
(V)
1.5
MGB914
1.0
(1)
(2)
0.5
(3)
0
10−1
IC/IB = 5.
(4)
1
(1) VBE; Tj = 25 °C.
(2) VBE; Tj = 100 °C.
(3) VCE; Tj = 100 °C.
(4) VCE; Tj = 25 °C.
10
IC (A)
102
Fig.7 Base-emitter and collector-emitter saturation voltages as functions of base current; typical values.
1.6
handbook, full pagewidth
VBE
(V)
1.4
1.2
1.0
(1)
(2)
(3)
MGB911
0.8
0
Tj = 25 °C.
(1) IC = 8 A.
1997 Aug 13
0.5 1 1.5 2 2.5 IB (A)
(2) IC = 6 A.
(3) IC = 3 A.
Fig.8 Base-emitter voltage as a function of collector current; typical values.
3
6
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUT12 | Silicon diffused power transistors | NXP Semiconductors |
BUT12 | SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) | Wing Shing Computer Components |
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