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BUV298V 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 BUV298V은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUV298V 자료 제공

부품번호 BUV298V 기능
기능 NPN TRANSISTOR POWER MODULE
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


BUV298V 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 12 페이지수

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BUV298V 데이터시트, 핀배열, 회로
BUV298V
NPN transistor power module
General features
NPN Transistor
High current power bipolar module
Very low Rth junction case
)Specific accidental overload areas
t(sFully insulated package (U.L. compliant) for
ceasy mounting
duLow internal parasitic inductance
roIn compliance with the 2002/93/EC European
PDirective
leteApplications
soMotor control
bSMPS & UPS
Obsolete Product(s) - OWelding equipment
Pin 4 not connected
ISOTOP
Internal schematic diagram
Order codes
Part Number
BUV298V
Marking
BUV298V
Package
ISOTOP
Packing
Tube
November 2006
Rev 3
1/12
www.st.com
12




BUV298V pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
BUV298V
(Tcase = 25°C unless otherwise specified)
Table 3. Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min. Typ. Max. Unit
ICER
Collector cut-off current VCE =VCEV
W(RBE =5 )
VCE =VCEV
Tj =100°C
0.4 mA
2 mA
ICEV
Collector cut-off current VCE =VCEV
(VBE =-5V)
VCE =VCEV
Tj =100°C
0.4 mA
2 mA
ct(s)IEBO
Emitter cut-off current
(IC =0)
VEB =5V
2 mA
duVCEO(sus) (1)
Collector-emitter
sustaining voltage
ro(IB = 0)
IC =0.2A
L =25mH
Vclamp =450V
450
V
te PhFE DC current gain
IC =32A
VCE =5V
12
leVCE(sat) (1) Collector-emitter
osaturation voltage
IC =32A IB =6.4A
IC =32A IB =6.4A Tj =100°C
0.35
0.6
1.2
2
V
V
ObsVBE(sat) (1)
Base-emitter saturation
voltage
IC =32A IB =6.4A
IC =32A IB =6.4A Tj =100°C
1 1.5
0.9 1.5
V
V
t(s) -dic/dt
Rate of rise of On-state
collector
VCC =300V RC =0 tp=3µs
IB1 =9.6A Tj =100°C
160
210
A/µs
roducVCE(3µs)
Collector-emitter
dynamic voltage
VCC =300V RC =9.3
IB1 =9.6A Tj =100°C
4.5 8
V
te PVCE(5µs)
Collector-emitter
dynamic voltage
VCC =300V RC =9.3
IB1 =9.6A Tj =100°C
2.5 4
V
ole ts Storage time
s tf Fall time
Ob tc Cross-over time
IC =32A
VBB=-5V
IB1 =6.4A
L =78µH
VCC =50V
RBB =0.39
Vclamp =450V
Tj =100°C
3.2
0.25
0.5
4.5
0.4
0.7
µs
µs
µs
VCEW
Maximum collector-
emitter voltage without
snubber
ICWoff =48A IB1 =6.4A
VBB=-5V VCC =50V
L =52µH RBB =0.39
Tj =125°C
450
V
Note (1) Pulsed duration = 300µs, duty cycle 1.5%
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BUV298V 전자부품, 판매, 대치품
BUV298V
Figure 13. DC current gain
Electrical characteristics
uct(s)2.2 Test circuits and waveforms
rodFigure 14. Turn-on switching test circuit
uct(s) - Obsolete P1) Fast electronic switch
d2) Non-inductive resistor
Obsolete ProFigure 15. Turn-on switching waveforms
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