|
|
|
부품번호 | BUV298V 기능 |
|
|
기능 | NPN TRANSISTOR POWER MODULE | ||
제조업체 | STMicroelectronics | ||
로고 | |||
전체 12 페이지수
BUV298V
NPN transistor power module
General features
■ NPN Transistor
■ High current power bipolar module
■ Very low Rth junction case
)■ Specific accidental overload areas
t(s■ Fully insulated package (U.L. compliant) for
ceasy mounting
du■ Low internal parasitic inductance
ro■ In compliance with the 2002/93/EC European
PDirective
leteApplications
so■ Motor control
b■ SMPS & UPS
Obsolete Product(s) - O■ Welding equipment
Pin 4 not connected
ISOTOP
Internal schematic diagram
Order codes
Part Number
BUV298V
Marking
BUV298V
Package
ISOTOP
Packing
Tube
November 2006
Rev 3
1/12
www.st.com
12
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
BUV298V
(Tcase = 25°C unless otherwise specified)
Table 3. Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min. Typ. Max. Unit
ICER
Collector cut-off current VCE =VCEV
W(RBE =5 )
VCE =VCEV
Tj =100°C
0.4 mA
2 mA
ICEV
Collector cut-off current VCE =VCEV
(VBE =-5V)
VCE =VCEV
Tj =100°C
0.4 mA
2 mA
ct(s)IEBO
Emitter cut-off current
(IC =0)
VEB =5V
2 mA
duVCEO(sus) (1)
Collector-emitter
sustaining voltage
ro(IB = 0)
IC =0.2A
L =25mH
Vclamp =450V
450
V
te PhFE DC current gain
IC =32A
VCE =5V
12
leVCE(sat) (1) Collector-emitter
osaturation voltage
IC =32A IB =6.4A
IC =32A IB =6.4A Tj =100°C
0.35
0.6
1.2
2
V
V
ObsVBE(sat) (1)
Base-emitter saturation
voltage
IC =32A IB =6.4A
IC =32A IB =6.4A Tj =100°C
1 1.5
0.9 1.5
V
V
t(s) -dic/dt
Rate of rise of On-state
collector
VCC =300V RC =0 tp=3µs
IB1 =9.6A Tj =100°C
160
210
A/µs
roducVCE(3µs)
Collector-emitter
dynamic voltage
VCC =300V RC =9.3Ω
IB1 =9.6A Tj =100°C
4.5 8
V
te PVCE(5µs)
Collector-emitter
dynamic voltage
VCC =300V RC =9.3Ω
IB1 =9.6A Tj =100°C
2.5 4
V
ole ts Storage time
s tf Fall time
Ob tc Cross-over time
IC =32A
VBB=-5V
IB1 =6.4A
L =78µH
VCC =50V
RBB =0.39Ω
Vclamp =450V
Tj =100°C
3.2
0.25
0.5
4.5
0.4
0.7
µs
µs
µs
VCEW
Maximum collector-
emitter voltage without
snubber
ICWoff =48A IB1 =6.4A
VBB=-5V VCC =50V
L =52µH RBB =0.39Ω
Tj =125°C
450
V
Note (1) Pulsed duration = 300µs, duty cycle ≤1.5%
4/12
4페이지 BUV298V
Figure 13. DC current gain
Electrical characteristics
uct(s)2.2 Test circuits and waveforms
rodFigure 14. Turn-on switching test circuit
uct(s) - Obsolete P1) Fast electronic switch
d2) Non-inductive resistor
Obsolete ProFigure 15. Turn-on switching waveforms
7/12
7페이지 | |||
구 성 | 총 12 페이지수 | ||
다운로드 | [ BUV298V.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUV298AV | NPN TRANSISTOR POWER MODULE | STMicroelectronics |
BUV298V | NPN TRANSISTOR POWER MODULE | STMicroelectronics |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |