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BUV61 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 BUV61은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUV61 자료 제공

부품번호 BUV61 기능
기능 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


BUV61 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 5 페이지수

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BUV61 데이터시트, 핀배열, 회로
® BUV61
HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR
s NPN TRANSISTOR
s HIGH CURRENT CAPABILITY
s FAST SWITCHING SPEED
s FULLY CHARACTERIZED AT 125oC
APPLICATION
s SWITCHING REGULATORS
s MOTOR CONTROL
DESCRIPTION
The BUV61 is a Multi-Epitaxial planar NPN
transistor in TO-3 metal case.
It is intented for use in high frequency and
efficiency converters such us motor controllers
and industrial equipment.
1
2
TO-3
(version " S ")
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
VCEV
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PBase
Ptot
Tstg
Tj
Parameter
Collector-emitter Voltage (VBE = -1.5V)
Collector-emitter Voltage (IB = 0)
Emitter-Base Voltage (IC = 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Base Peak Current
Reverse Bias Base Dissipation
(B.E. junction in avalanche)
Total Power Dissipation at Tcase < 25 oC
Storage Temperature
Max Operating Junction Temperature
October 2003
Value
300
200
7
50
75
8
15
2
250
-65 to 200
200
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
W
oC
oC
1/5




BUV61 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BUV61
DIM.
A
B
C
D
E
G
N
P
R
U
V
TO-3 (version S) MECHANICAL DATA
MIN.
11.00
1.47
1.50
8.32
19.00
10.70
16.50
25.00
4.00
38.50
30.00
mm
TYP.
MAX.
13.10
1.60
1.65
8.92
20.00
11.10
17.20
26.00
4.09
39.30
30.30
MIN.
0.433
0.058
0.059
0.327
0.748
0.421
0.649
0.984
0.157
1.515
1.187
inch
TYP.
P AD
GC
MAX.
0.516
0.063
0.065
0.351
0.787
0.437
0.677
1.023
0.161
1.547
1.193
R
P003O
4/5

4페이지












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다운로드[ BUV61.PDF 데이터시트 ]

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