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부품번호 | BUV61 기능 |
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기능 | HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR | ||
제조업체 | STMicroelectronics | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
® BUV61
HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR
s NPN TRANSISTOR
s HIGH CURRENT CAPABILITY
s FAST SWITCHING SPEED
s FULLY CHARACTERIZED AT 125oC
APPLICATION
s SWITCHING REGULATORS
s MOTOR CONTROL
DESCRIPTION
The BUV61 is a Multi-Epitaxial planar NPN
transistor in TO-3 metal case.
It is intented for use in high frequency and
efficiency converters such us motor controllers
and industrial equipment.
1
2
TO-3
(version " S ")
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
VCEV
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PBase
Ptot
Tstg
Tj
Parameter
Collector-emitter Voltage (VBE = -1.5V)
Collector-emitter Voltage (IB = 0)
Emitter-Base Voltage (IC = 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Base Peak Current
Reverse Bias Base Dissipation
(B.E. junction in avalanche)
Total Power Dissipation at Tcase < 25 oC
Storage Temperature
Max Operating Junction Temperature
October 2003
Value
300
200
7
50
75
8
15
2
250
-65 to 200
200
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
W
oC
oC
1/5
BUV61
DIM.
A
B
C
D
E
G
N
P
R
U
V
TO-3 (version S) MECHANICAL DATA
MIN.
11.00
1.47
1.50
8.32
19.00
10.70
16.50
25.00
4.00
38.50
30.00
mm
TYP.
MAX.
13.10
1.60
1.65
8.92
20.00
11.10
17.20
26.00
4.09
39.30
30.30
MIN.
0.433
0.058
0.059
0.327
0.748
0.421
0.649
0.984
0.157
1.515
1.187
inch
TYP.
P AD
GC
MAX.
0.516
0.063
0.065
0.351
0.787
0.437
0.677
1.023
0.161
1.547
1.193
R
P003O
4/5
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUV60 | SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor | ON Semiconductor |
BUV60 | Bipolar NPN Device | Seme LAB |
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