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부품번호 | BUW11F 기능 |
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기능 | Silicon diffused power transistors | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
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전체 12 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BUW11F; BUW11AF
Silicon diffused power transistors
Product specification
Supersedes data of February 1996
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 14
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUW11F; BUW11AF
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCEOsust collector-emitter sustaining voltage IC = 100 mA; IBoff = 0; L = 25 mH;
BUW11F
see Figs 5 and 6
BUW11AF
VCEsat
VBEsat
ICsat
collector-emitter saturation voltage
BUW11F
BUW11AF
base-emitter saturation voltage
BUW11F
BUW11AF
collector saturation current
BUW11F
IC = 3 A; IB = 600 mA
IC = 2.5 A; IB = 500 mA
IC = 3 A; IB = 600 mA
IC = 2.5 A; IB = 500 mA
VCE = 1.5 V
BUW11AF
ICES
IEBO
hFE
collector-emitter cut-off current
emitter-base cut-off current
DC current gain
VCE = VCESMmax; VBE = 0; note 1
VCE = VCESMmax; VBE = 0;
Tj = 125 °C; note 1
VEB = 9 V; IC = 0
VCE = 5 V; IC = 5 mA; see Fig.7
VCE = 5 V; IC = 0.5 A; see Fig.7
Switching times resistive load (Figs 8 and 9)
ton turn-on time
BUW11F
BUW11AF
ts storage time
BUW11F
BUW11AF
tf fall time
BUW11F
BUW11AF
ICon = 3 A; IBon = −IBoff = 600 mA
ICon = 2.5 A; IBon = −IBoff = 500 mA
ICon = 3 A; IBon = −IBoff = 600 mA
ICon = 2.5 A; IBon = −IBoff = 500 mA
ICon = 3 A; IBon = −IBoff = 600 mA
ICon = 2.5 A; IBon = −IBoff = 500 mA
Switching times inductive load (Figs 10 and 11)
ts storage time
BUW11F
BUW11AF
tf fall time
BUW11F
BUW11AF
ICon = 3 A; IB = 600 mA;
VCL = 250 V; Tc = 100 °C
ICon = 2.5 A; IB = 500 mA;
VCL = 300 V; Tc = 100 °C
ICon = 3 A; IB = 600 mA;
VCL = 250 V; Tc = 100 °C
ICon = 2.5 A; IB = 500 mA;
VCL = 300 V; Tc = 100 °C
Note
1. Measured with a half-sinewave voltage (curve tracer).
MIN. TYP. MAX. UNIT
400 − − V
450 − − V
− − 1.5 V
− − 1.5 V
− − 1.4 V
− − 1.4 V
−−3A
− − 2.5 A
− − 1 mA
− − 2 mA
− − 10 mA
10 18 35
10 20 35
− − 1 µs
− − 1 µs
− − 4 µs
− − 4 µs
− − 0.8 µs
− − 0.8 µs
− 2 2.5 µs
− 2 2.5 µs
− 200 300 ns
− 200 300 ns
1997 Aug 14
4
4페이지 Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUW11F; BUW11AF
handboo1k,0h2alfpage
hFE
10
VCE = 5 V
1V
MBC095
1
10−2
10−1
1
10 102
IC (A)
Tj = 125 °C.
Fig.7 DC current gain; typical values.
handbook, halfpage
VIM
0
tp
T
VCC
RL
RB
D.U.T.
MGE244
VCC = 250 V; tp = 20 µs; VIM = −6 to +8 V; tp/T = 0.01.
The values of RB and RL are selected in accordance with ICon and
IBon requirements.
Fig.8 Test circuit resistive load.
handbook, halfpage
90%
IB
10%
tr ≤30 ns
90%
IC
10%
ton
MBB731
IB on
t
IB off
IC on
tf
ts
t
tr ≤ 20 ns.
Fig.9 Switching time waveforms with
resistive load.
1997 Aug 14
andbook, halfpage
+IB
−VBE
VCC
LC
LB
D.U.T.
VCL
MGE246
VCL = up to 1000 V; VCC = 30 V; VBE = −1 V to −5 V; LB = 1 µH;
LC = 200 µH.
Fig.10 Test circuit inductive load and reverse
bias SOAR.
7
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