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BUW11F 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUW11F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUW11F 자료 제공

부품번호 BUW11F 기능
기능 Silicon diffused power transistors
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUW11F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUW11F 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BUW11F; BUW11AF
Silicon diffused power transistors
Product specification
Supersedes data of February 1996
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 14




BUW11F pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUW11F; BUW11AF
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCEOsust collector-emitter sustaining voltage IC = 100 mA; IBoff = 0; L = 25 mH;
BUW11F
see Figs 5 and 6
BUW11AF
VCEsat
VBEsat
ICsat
collector-emitter saturation voltage
BUW11F
BUW11AF
base-emitter saturation voltage
BUW11F
BUW11AF
collector saturation current
BUW11F
IC = 3 A; IB = 600 mA
IC = 2.5 A; IB = 500 mA
IC = 3 A; IB = 600 mA
IC = 2.5 A; IB = 500 mA
VCE = 1.5 V
BUW11AF
ICES
IEBO
hFE
collector-emitter cut-off current
emitter-base cut-off current
DC current gain
VCE = VCESMmax; VBE = 0; note 1
VCE = VCESMmax; VBE = 0;
Tj = 125 °C; note 1
VEB = 9 V; IC = 0
VCE = 5 V; IC = 5 mA; see Fig.7
VCE = 5 V; IC = 0.5 A; see Fig.7
Switching times resistive load (Figs 8 and 9)
ton turn-on time
BUW11F
BUW11AF
ts storage time
BUW11F
BUW11AF
tf fall time
BUW11F
BUW11AF
ICon = 3 A; IBon = IBoff = 600 mA
ICon = 2.5 A; IBon = IBoff = 500 mA
ICon = 3 A; IBon = IBoff = 600 mA
ICon = 2.5 A; IBon = IBoff = 500 mA
ICon = 3 A; IBon = IBoff = 600 mA
ICon = 2.5 A; IBon = IBoff = 500 mA
Switching times inductive load (Figs 10 and 11)
ts storage time
BUW11F
BUW11AF
tf fall time
BUW11F
BUW11AF
ICon = 3 A; IB = 600 mA;
VCL = 250 V; Tc = 100 °C
ICon = 2.5 A; IB = 500 mA;
VCL = 300 V; Tc = 100 °C
ICon = 3 A; IB = 600 mA;
VCL = 250 V; Tc = 100 °C
ICon = 2.5 A; IB = 500 mA;
VCL = 300 V; Tc = 100 °C
Note
1. Measured with a half-sinewave voltage (curve tracer).
MIN. TYP. MAX. UNIT
400 − − V
450 − − V
− − 1.5 V
− − 1.5 V
− − 1.4 V
− − 1.4 V
−−3A
− − 2.5 A
− − 1 mA
− − 2 mA
− − 10 mA
10 18 35
10 20 35
− − 1 µs
− − 1 µs
− − 4 µs
− − 4 µs
− − 0.8 µs
− − 0.8 µs
2 2.5 µs
2 2.5 µs
200 300 ns
200 300 ns
1997 Aug 14
4

4페이지










BUW11F 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUW11F; BUW11AF
handboo1k,0h2alfpage
hFE
10
VCE = 5 V
1V
MBC095
1
102
101
1
10 102
IC (A)
Tj = 125 °C.
Fig.7 DC current gain; typical values.
handbook, halfpage
VIM
0
tp
T
VCC
RL
RB
D.U.T.
MGE244
VCC = 250 V; tp = 20 µs; VIM = 6 to +8 V; tp/T = 0.01.
The values of RB and RL are selected in accordance with ICon and
IBon requirements.
Fig.8 Test circuit resistive load.
handbook, halfpage
90%
IB
10%
tr 30 ns
90%
IC
10%
ton
MBB731
IB on
t
IB off
IC on
tf
ts
t
tr 20 ns.
Fig.9 Switching time waveforms with
resistive load.
1997 Aug 14
andbook, halfpage
+IB
VBE
VCC
LC
LB
D.U.T.
VCL
MGE246
VCL = up to 1000 V; VCC = 30 V; VBE = 1 V to 5 V; LB = 1 µH;
LC = 200 µH.
Fig.10 Test circuit inductive load and reverse
bias SOAR.
7

7페이지


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