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BUW12AF 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUW12AF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUW12AF 자료 제공

부품번호 BUW12AF 기능
기능 Silicon diffused power transistors
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUW12AF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUW12AF 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BUW12F; BUW12AF
Silicon diffused power transistors
Product specification
Supersedes data of February 1996
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 14




BUW12AF pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUW12F; BUW12AF
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN. TYP. MAX. UNIT
VCEOsust collector-emitter sustaining voltage IC = 100 mA; IBoff = 0; L = 25 mH;
BUW12F
see Figs 8 and 9
400 − − V
BUW12AF
450 − − V
VCEsat
VBEsat
ICES
IEBO
hFE
collector-emitter saturation voltage
BUW12F
BUW12AF
IC = 6 A; IB = 1.2 A; see Figs 6 and 10 − − 1.5 V
IC = 5 A; IB = 1 A; see Figs 6 and 10 − − 1.5 V
base-emitter saturation voltage
BUW12F
BUW12AF
IC = 6 A; IB = 1.2 A; see Fig.6
IC = 5 A; IB = 1 A; see Fig.6
− − 1.5 V
− − 1.5 V
collector-emitter cut-off current
emitter-base cut-off current
VCE = VCESMmax; VBE = 0; note 1
VCE = VCESMmax; VBE = 0;
Tj = 125 °C; note 1
VEB = 9 V; IC = 0
− − 1 mA
− − 3 mA
− − 10 mA
DC current gain
VCE = 5 V; IC = 10 mA; see Fig.11
10 18 35
VCE = 5 V; IC = 1 A; see Fig.11
10 20 35
Switching times resistive load (see Figs 12 and 13)
ton turn-on time
BUW12F
BUW12AF
ts storage time
BUW12F
BUW12AF
tf fall time
BUW12F
BUW12AF
ICon = 6 A; IBon = IBoff = 1.2 A
ICon = 5 A; IBon = IBoff = 1 A
ICon = 6 A; IBon = IBoff = 1.2 A
ICon = 5 A; IBon = IBoff = 1 A
ICon = 6 A; IBon = IBoff = 1.2 A
ICon = 5 A; IBon = IBoff = 1 A
− − 1 µs
− − 1 µs
− − 4 µs
− − 4 µs
− − 0.8 µs
− − 0.8 µs
Switching times inductive load (see Figs 14 and 15)
ts storage time
BUW12F
BUW12AF
tf fall time
BUW12F
BUW12AF
ICon = 6 A; IB = 1.2 A; VCL = 250 V;
Tc = 100 °C
ICon = 5 A; IB = 1 A; VCL = 300 V;
Tc = 100 °C
ICon = 6 A; IB = 1.2 A; VCL = 250 V;
Tc = 100 °C
ICon = 5 A; IB = 1 A; VCL = 300 V;
Tc = 100 °C
1.9 2.5 µs
1.9 2.5 µs
200 300 ns
200 300 ns
Note
1. Measured with a half-sinewave voltage (curve tracer).
1997 Aug 14
4

4페이지










BUW12AF 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUW12F; BUW12AF
2.0
handbook, full pagewidth
VBEsat
VCEsat
(V)
1.5
MGB914
1.0
(1)
(2)
0.5
0
101
IC/IB = 5.
(1) VBE; Tj = 25 °C.
(3)
(4)
1
(2) VBE; Tj = 100 °C.
(3) VCE; Tj = 100 °C.
(4) VCE; Tj = 25 °C.
10
IC (A)
102
Fig.6 Base-emitter and collector-emitter saturation voltages as functions of collector current; typical values.
1.6
handbook, full pagewidth
VBE
(V)
1.4
1.2
1.0
(1)
(2)
(3)
MGB911
0.8
0
Tj = 25 °C.
(1) IC = 8 A.
0.5 1 1.5 2 2.5
(2) IC = 6 A.
(3) IC = 3 A.
Fig.7 Base-emitter voltage as a function of base current; typical values.
IB (A)
3
1997 Aug 14
7

7페이지


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