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부품번호 | BUW12AF 기능 |
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기능 | Silicon diffused power transistors | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 12 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BUW12F; BUW12AF
Silicon diffused power transistors
Product specification
Supersedes data of February 1996
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 14
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUW12F; BUW12AF
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN. TYP. MAX. UNIT
VCEOsust collector-emitter sustaining voltage IC = 100 mA; IBoff = 0; L = 25 mH;
BUW12F
see Figs 8 and 9
400 − − V
BUW12AF
450 − − V
VCEsat
VBEsat
ICES
IEBO
hFE
collector-emitter saturation voltage
BUW12F
BUW12AF
IC = 6 A; IB = 1.2 A; see Figs 6 and 10 − − 1.5 V
IC = 5 A; IB = 1 A; see Figs 6 and 10 − − 1.5 V
base-emitter saturation voltage
BUW12F
BUW12AF
IC = 6 A; IB = 1.2 A; see Fig.6
IC = 5 A; IB = 1 A; see Fig.6
− − 1.5 V
− − 1.5 V
collector-emitter cut-off current
emitter-base cut-off current
VCE = VCESMmax; VBE = 0; note 1
VCE = VCESMmax; VBE = 0;
Tj = 125 °C; note 1
VEB = 9 V; IC = 0
− − 1 mA
− − 3 mA
− − 10 mA
DC current gain
VCE = 5 V; IC = 10 mA; see Fig.11
10 18 35
VCE = 5 V; IC = 1 A; see Fig.11
10 20 35
Switching times resistive load (see Figs 12 and 13)
ton turn-on time
BUW12F
BUW12AF
ts storage time
BUW12F
BUW12AF
tf fall time
BUW12F
BUW12AF
ICon = 6 A; IBon = IBoff = 1.2 A
ICon = 5 A; IBon = IBoff = 1 A
ICon = 6 A; IBon = IBoff = 1.2 A
ICon = 5 A; IBon = IBoff = 1 A
ICon = 6 A; IBon = IBoff = 1.2 A
ICon = 5 A; IBon = IBoff = 1 A
− − 1 µs
− − 1 µs
− − 4 µs
− − 4 µs
− − 0.8 µs
− − 0.8 µs
Switching times inductive load (see Figs 14 and 15)
ts storage time
BUW12F
BUW12AF
tf fall time
BUW12F
BUW12AF
ICon = 6 A; IB = 1.2 A; VCL = 250 V;
Tc = 100 °C
ICon = 5 A; IB = 1 A; VCL = 300 V;
Tc = 100 °C
−
−
ICon = 6 A; IB = 1.2 A; VCL = 250 V;
Tc = 100 °C
ICon = 5 A; IB = 1 A; VCL = 300 V;
Tc = 100 °C
−
−
1.9 2.5 µs
1.9 2.5 µs
200 300 ns
200 300 ns
Note
1. Measured with a half-sinewave voltage (curve tracer).
1997 Aug 14
4
4페이지 Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUW12F; BUW12AF
2.0
handbook, full pagewidth
VBEsat
VCEsat
(V)
1.5
MGB914
1.0
(1)
(2)
0.5
0
10−1
IC/IB = 5.
(1) VBE; Tj = 25 °C.
(3)
(4)
1
(2) VBE; Tj = 100 °C.
(3) VCE; Tj = 100 °C.
(4) VCE; Tj = 25 °C.
10
IC (A)
102
Fig.6 Base-emitter and collector-emitter saturation voltages as functions of collector current; typical values.
1.6
handbook, full pagewidth
VBE
(V)
1.4
1.2
1.0
(1)
(2)
(3)
MGB911
0.8
0
Tj = 25 °C.
(1) IC = 8 A.
0.5 1 1.5 2 2.5
(2) IC = 6 A.
(3) IC = 3 A.
Fig.7 Base-emitter voltage as a function of base current; typical values.
IB (A)
3
1997 Aug 14
7
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUW12A | POWER TRANSISTORS(8A/400-450V/125W) | Mospec Semiconductor |
BUW12A | SILICON POWER TRANSISTOR | SavantIC |
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