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BUX87P 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUX87P은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUX87P 자료 제공

부품번호 BUX87P 기능
기능 Silicon Diffused Power Transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUX87P 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUX87P 데이터시트, 핀배열, 회로
Philips Semiconductors
Silicon Diffused Power Transistor
Product specification
BUX86P
BUX87P
GENERAL DESCRIPTION
High voltage, high speed glass passivated npn power transistors in a SOT82 envelope intended for use in
converters, inverters, switching regulators, motor control systems and switching applications.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER
VCESM
VCEO
VCESAT
IC
ICM
Ptot
tf
Collector-emitter voltage peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Collector-emitter saturation voltage
Collector current (DC)
Collector current peak value
Total power dissipation
Fall time
CONDITIONS
VBE = 0 V
IC = 0.2 A; IB = 20 mA
Tmb 25 ˚C
IC = 0.2 A; IB(on) = 20 mA
TYP.
BUX
-
-
-
-
-
-
0.28
MAX.
86P 87P
800 1000
400 450
1
0.5
1
42
-
UNIT
V
V
V
A
A
W
µs
PINNING - SOT82
PIN DESCRIPTION
1 emitter
2 collector
3 base
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
c
b
1 23
e
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
BUX
VCESM
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
-IBM
Ptot
Tstg
Tj
Collector-emitter voltage peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Emitter-base voltage (open collector)
Collector current (DC)
Collector current (peak value) tp = 2 ms
Base current (DC)
Base current (peak value)
Reverse base current (peak value)1
Total power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
VBE = 0 V
Tmb 25 ˚C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
MAX.
86P 87P
800 1000
400 450
5
0.5
1
0.2
0.3
0.3
42
150
150
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
W
˚C
˚C
1 Turn-off current.
November 1995
1
Rev 1.100




BUX87P pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Silicon Diffused Power Transistor
Product specification
BUX86P
BUX87P
hFE
1000 VCE=5V
Tj=25 C
100
BUX86P
Typical gain
Limit gain
10
1
0.001
0.01
IC / A
0.1
1
Fig.7. Typical DC current gain.
hFE = f(IC); parameter VCE.
Arrows indicate conditions protected by 100% test.
hFE
1000
VCE=5V
Tj=95 C
100
BUX86P
Typical gain
Limit gain
10
1
0.001
0.01
IC / A
0.1
Fig.8. Typical DC current gain.
hFE = f(IC); parameter VCE
1
hFE
1000
VCE=5V
Tj= -40 C
BUX86P
Typical gain
Limit gain
100
IC / A
10
1 ICM max
IC max
0.1
0.01
BUX87P
= 0.01
II tp =
1 ms
I 10 ms
DC
0.001
10 100 1000
VCE / V
Fig.10. Forward bias safe operating area. Tmb = 25 ˚C
I Region of permissible DC operation.
II Extension for repetitive pulse operation.
NB: Mounted with heatsink compound and
30 ± 5 newton force on the centre of the
envelope.
10
1
0.001
0.01
IC / A
0.1
Fig.9. Typical DC current gain.
hFE = f(IC); parameter VCE
1
November 1995
4
Rev 1.100

4페이지












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