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BUZ100SL-4 데이터시트 PDF




Siemens Semiconductor Group에서 제조한 전자 부품 BUZ100SL-4은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUZ100SL-4 자료 제공

부품번호 BUZ100SL-4 기능
기능 SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated d v/d t rated)
제조업체 Siemens Semiconductor Group
로고 Siemens Semiconductor Group 로고


BUZ100SL-4 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 8 페이지수

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BUZ100SL-4 데이터시트, 핀배열, 회로
SIPMOS ® Power Transistor
• Quad-channel
• Enhancement mode
• Logic level
• Avalanche-rated
• dv/dt rated
Preliminary data
BUZ 100SL-4
Type
VDS
BUZ 100SL-4 55 V
ID
7.4 A
RDS(on)
0.023
Package
P-DSO-28
Ordering Code
C67078-S. . . .- . .
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current one channel active
TA = 25 °C
Pulsed drain current one channel active
TA = 25 °C
Avalanche energy, single pulse
ID = 7.4 A, VDD = 25 V, RGS = 25
L = 13.8 mH, Tj = 25 °C
Reverse diode dv/dt
IS = 7.4 A, VDS = 40 V, diF/dt = 200 A/µs
Tjmax = 175 °C
Gate source voltage
Power dissipation ,one channel active
TA = 25 °C
Operating temperature
Storage temperature
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Symbol
ID
IDpuls
EAS
dv/dt
VGS
Ptot
Tj
Tstg
Values
7.4
Unit
A
29.6
mJ
380
kV/µs
6
± 14
2.4
-55 ... + 175
-55 ... + 175
55 / 175 / 56
V
W
°C
Semiconductor Group
1
01/Oct/1997




BUZ100SL-4 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Preliminary data
BUZ 100SL-4
Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
max.
Unit
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current
TA = 25 °C
Inverse diode direct current, pulsed
TA = 25 °C
Inverse diode forward voltage
VGS = 0 V, IF = 14.8 A
Reverse recovery time
VR = 30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
Reverse recovery charge
VR = 30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
IS
ISM
VSD
trr
Qrr
-
-
-
-
-
-
-
0.9
75
0.21
A
7.4
29.6
1.6
115
0.315
V
ns
µC
Semiconductor Group
4
01/Oct/1997

4페이지










BUZ100SL-4 전자부품, 판매, 대치품
Preliminary data
BUZ 100SL-4
Drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(Tj)
parameter: ID = 7.4 A, VGS = 5 V
0.065
0.055
RDS (o0n).050
0.045
0.040
0.035
0.030
0.025
98%
typ
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
-60 -20 20 60 100 °C 180
Tj
Gate threshold voltage
VGS (th) = ƒ(Tj)
parameter: VGS = VDS, ID = 130 µA
4.6
V
4.0
VGS(th) 3.6
3.2
2.8
2.4
98%
2.0
typ
1.6
2%
1.2
0.8
0.4
0.0
-60 -20 20 60 100 °C 180
Tj
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter:VGS = 0V, f = 1MHz
10 4
Forward characteristics of reverse diode
IF = ƒ(VSD)
parameter: Tj, tp = 80 µs
10 3
C
pF
10 3
A
IF
Ciss 10 2
Coss
Crss
10 2
0
5 10 15 20 25 30 V 40
VDS
Semiconductor Group
7
10 1
Tj = 25 °C typ
Tj = 175 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 175 °C (98%)
10 0
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
VSD
01/Oct/1997

7페이지


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