|
|
|
부품번호 | BUZ104S 기능 |
|
|
기능 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature) | ||
제조업체 | Siemens Semiconductor Group | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
SIPMOS ® Power Transistor
• N channel
• Enhancement mode
• Avalanche-rated
• dv/dt rated
• 175°C operating temperature
• also in SMD available
Type
BUZ 104 S
VDS
55 V
ID
13.5 A
RDS(on)
0.1 Ω
BUZ 104 S
SPP14N05
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Package
TO-220 AB
Ordering Code
Q67040-S4007-A2
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Pulsed drain current
TC = 25 °C
Avalanche energy, single pulse
ID = 13.5 A, VDD = 25 V, RGS = 25 Ω
L = 571 µH, Tj = 25 °C
Avalanche current,limited by Tjmax
Avalanche energy,periodic limited by Tjmax
Reverse diode dv/dt
IS = 13.5 A, VDS = 40 V, diF/dt = 200 A/µs
Tjmax = 175 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
Symbol
ID
IDpuls
EAS
IAR
EAR
dv/dt
VGS
Ptot
Values
13.5
9.6
54
52
13.5
3.5
6
± 20
35
Unit
A
mJ
A
mJ
kV/µs
V
W
Semiconductor Group
1
29/Jan/1998
BUZ 104 S
SPP14N05
Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
min.
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current
IS
TC = 25 °C
-
Inverse diode direct current,pulsed
ISM
TC = 25 °C
-
Inverse diode forward voltage
VSD
VGS = 0 V, IF = 27 A
-
Reverse recovery time
trr
VR = 30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
-
Reverse recovery charge
Qrr
VR = 30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
-
Values
typ.
max.
-
-
1.17
50
0.1
13.5
54
1.8
75
0.15
Unit
A
V
ns
µC
Semiconductor Group
4
29/Jan/1998
4페이지 BUZ 104 S
SPP14N05
Drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(Tj)
parameter: ID = 9.6 A, VGS = 10 V
0.32
Ω
RDS (on)
0.24
0.20
0.16
98%
0.12 typ
0.08
0.04
0.00
-60 -20 20
60 100 °C 180
Tj
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter:VGS = 0V, f = 1MHz
10 3
Gate threshold voltage
VGS(th)= f (Tj)
parameter:VGS=VDS, ID =20µA
5.0
V
4.4
VGS(th) 4.0
3.6
3.2
2.8
2.4 max
2.0
1.6
typ
1.2
0.8
0.4 min
0.0
-60 -20 20 60 100 140 V 200
Tj
Forward characteristics of reverse diode
IF = ƒ(VSD)
parameter: Tj, tp = 80 µs
10 2
C
pF
A
I
F
Ciss
10 1
10 2
Coss
Crss
10 1
0
5 10 15 20 25 30 V 40
VDS
Semiconductor Group
7
10 0
Tj = 25 °C typ
Tj = 175 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 175 °C (98%)
10 -1
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
VSD
29/Jan/1998
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
다운로드 | [ BUZ104S.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUZ104 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated Low on-resistance) | Siemens Semiconductor Group |
BUZ104L | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level d v/d t rated Low on-resistance) | Siemens Semiconductor Group |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |