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BUZ111 데이터시트 PDF




Siemens Semiconductor Group에서 제조한 전자 부품 BUZ111은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUZ111 자료 제공

부품번호 BUZ111 기능
기능 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
제조업체 Siemens Semiconductor Group
로고 Siemens Semiconductor Group 로고


BUZ111 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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BUZ111 데이터시트, 핀배열, 회로
SIPMOS ® Power Transistor
• N channel
• Enhancement mode
• Avalanche-rated
• dv/dt rated
• 175°C operating temperature
• also in SMD available
Type
BUZ111S
VDS
55 V
ID
80 A
BUZ111S
SPP80N05
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
RDS(on)
0.008
Package
TO-220 AB
Ordering Code
Q67040-S4003-A2
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
TC = 100 °C
Pulsed drain current
TC = 25 °C
Avalanche energy, single pulse
ID = 80 A, VDD = 25 V, RGS = 25
L = 220 µH, Tj = 25 °C
Avalanche current,limited by Tjmax
Avalanche energy,periodic limited by Tjmax
Reverse diode dv/dt
IS = 80 A, VDS = 40 V, diF/dt = 200 A/µs
Tjmax = 175 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
Symbol
ID
IDpuls
EAS
IAR
EAR
dv/dt
VGS
Ptot
Values
80
320
700
80
25
6
± 20
250
Unit
A
mJ
A
mJ
kV/µs
V
W
Semiconductor Group
1
28/Jan/1998




BUZ111 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BUZ111S
SPP80N05
Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
min.
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current
IS
TC = 25 °C
-
Inverse diode direct current,pulsed
ISM
TC = 25 °C
-
Inverse diode forward voltage
VSD
VGS = 0 V, IF = 160 A
-
Reverse recovery time
trr
VR = 30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
-
Reverse recovery charge
Qrr
VR = 30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
-
Values
typ.
max.
-
-
1.25
105
0.29
80
320
1.8
160
0.45
Unit
A
V
ns
µC
Semiconductor Group
4
28/Jan/1998

4페이지










BUZ111 전자부품, 판매, 대치품
BUZ111S
SPP80N05
Drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(Tj)
parameter: ID = 80 A, VGS = 10 V
0.026
0.022
RDS (on0).020
0.018
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
98%
typ
0.006
0.004
0.002
0.000
-60 -20 20
60 100 °C 180
Tj
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter:VGS = 0V, f = 1MHz
10 1
Gate threshold voltage
VGS(th)= f (Tj)
parameter:VGS=VDS, ID =240µA
5.0
V
4.4
VGS(th) 4.0
3.6
3.2
2.8
2.4 max
2.0
1.6
typ
1.2
0.8
0.4 min
0.0
-60 -20 20 60 100 140 V 200
Tj
Forward characteristics of reverse diode
IF = ƒ(VSD)
parameter: Tj, tp = 80 µs
10 3
nF
C
10 0
Ciss
Coss
Crss
A
I
F
10 2
10 -1
10 -2
0
5 10 15 20 25 30 V 40
VDS
Semiconductor Group
7
10 1
Tj = 25 °C typ
Tj = 175 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 175 °C (98%)
10 0
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
VSD
28/Jan/1998

7페이지


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