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BUZ171 데이터시트 PDF




Siemens Semiconductor Group에서 제조한 전자 부품 BUZ171은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUZ171 자료 제공

부품번호 BUZ171 기능
기능 SIPMOS Power Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated)
제조업체 Siemens Semiconductor Group
로고 Siemens Semiconductor Group 로고


BUZ171 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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BUZ171 데이터시트, 핀배열, 회로
BUZ 171
SIPMOS ® Power Transistor
• P channel
• Enhancement mode
• Avalanche rated
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 171
VDS
-50 V
ID
-8 A
RDS(on)
0.3
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
TC = 30 °C
Pulsed drain current
TC = 25 °C
Avalanche energy, single pulse
ID = -8 A, VDD = -25 V, RGS = 25
L = 1.1 mH, Tj = 25 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Package
TO-220 AB
Symbol
ID
IDpuls
EAS
VGS
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJA
Ordering Code
C67078-S1450-A2
Values
-8
Unit
A
-32
mJ
70
± 20
40
-55 ... + 150
-55 ... + 150
3.1
75
E
55 / 150 / 56
V
W
°C
K/W
Semiconductor Group
1
07/96




BUZ171 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BUZ 171
Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
max.
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current IS
TC = 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
ISM
TC = 25 °C
Inverse diode forward voltage
VSD
VGS = 0 V, IF = -16 A
Reverse recovery time
trr
VR = -30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
Reverse recovery charge
Qrr
VR = -30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
-
-
-
-
-
- -8
- -32
-1.25 -1.7
90 -
0.23 -
Unit
A
V
ns
µC
Semiconductor Group
4
07/96

4페이지










BUZ171 전자부품, 판매, 대치품
BUZ 171
Drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(Tj)
parameter: ID = -5 A, VGS = -10 V
0.70
0.60
RDS (on)0.55
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
-60
-20
98%
typ
20 60
100 °C 160
Tj
Gate threshold voltage
VGS (th) = ƒ(Tj)
parameter: VGS = VDS, ID = 1 mA
-4.6
V
-4.0
VGS(th) -3.6
-3.2
98%
typ
-2.8
-2.4 2%
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0.0
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter:VGS = 0V, f = 1MHz
10 4
Forward characteristics of reverse diode
IF = ƒ(VSD)
parameter: Tj, tp = 80 µs
-10 2
pF
C
10 3
A
I
F
-10 1
Ciss
10 2
Coss
Crss
10 1
0
-5 -10 -15 -20 -25 -30 V -40
VDS
Semiconductor Group
7
-10 0
Tj = 25 °C typ
Tj = 150 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 150 °C (98%)
-10 -1
0.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 -2.4 V -3.0
VSD
07/96

7페이지


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다운로드[ BUZ171.PDF 데이터시트 ]

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SIPMOS Power Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated)

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