|
|
|
부품번호 | BUZ171 기능 |
|
|
기능 | SIPMOS Power Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated) | ||
제조업체 | Siemens Semiconductor Group | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
BUZ 171
SIPMOS ® Power Transistor
• P channel
• Enhancement mode
• Avalanche rated
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 171
VDS
-50 V
ID
-8 A
RDS(on)
0.3 Ω
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
TC = 30 °C
Pulsed drain current
TC = 25 °C
Avalanche energy, single pulse
ID = -8 A, VDD = -25 V, RGS = 25 Ω
L = 1.1 mH, Tj = 25 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Package
TO-220 AB
Symbol
ID
IDpuls
EAS
VGS
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJA
Ordering Code
C67078-S1450-A2
Values
-8
Unit
A
-32
mJ
70
± 20
40
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤ 3.1
≤ 75
E
55 / 150 / 56
V
W
°C
K/W
Semiconductor Group
1
07/96
BUZ 171
Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
max.
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current IS
TC = 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
ISM
TC = 25 °C
Inverse diode forward voltage
VSD
VGS = 0 V, IF = -16 A
Reverse recovery time
trr
VR = -30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
Reverse recovery charge
Qrr
VR = -30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
-
-
-
-
-
- -8
- -32
-1.25 -1.7
90 -
0.23 -
Unit
A
V
ns
µC
Semiconductor Group
4
07/96
4페이지 BUZ 171
Drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(Tj)
parameter: ID = -5 A, VGS = -10 V
0.70
Ω
0.60
RDS (on)0.55
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
-60
-20
98%
typ
20 60
100 °C 160
Tj
Gate threshold voltage
VGS (th) = ƒ(Tj)
parameter: VGS = VDS, ID = 1 mA
-4.6
V
-4.0
VGS(th) -3.6
-3.2
98%
typ
-2.8
-2.4 2%
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0.0
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter:VGS = 0V, f = 1MHz
10 4
Forward characteristics of reverse diode
IF = ƒ(VSD)
parameter: Tj, tp = 80 µs
-10 2
pF
C
10 3
A
I
F
-10 1
Ciss
10 2
Coss
Crss
10 1
0
-5 -10 -15 -20 -25 -30 V -40
VDS
Semiconductor Group
7
-10 0
Tj = 25 °C typ
Tj = 150 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 150 °C (98%)
-10 -1
0.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 -2.4 V -3.0
VSD
07/96
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
다운로드 | [ BUZ171.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUZ17 | main ratings | Siemens Semiconductor Group |
BUZ171 | SIPMOS Power Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated) | Siemens Semiconductor Group |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |