|
|
|
부품번호 | BUZ215 기능 |
|
|
기능 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET) | ||
제조업체 | Siemens Semiconductor Group | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
BUZ 215
SIPMOS ® Power Transistor
• N channel
• Enhancement mode
• FREDFET
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 215
VDS
500 V
ID
5A
RDS(on)
1.5 Ω
Maximum Ratings
Parameter
Drain source voltage
Drain-gate voltage
RGS = 20 kΩ
Continuous drain current
TC = 30 °C
Pulsed drain current
TC = 25 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Package
TO-220 AB
Symbol
VDS
VDGR
ID
IDpuls
VGS
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJA
Ordering Code
C67078-A1400-A2
Values
500
Unit
V
500
A
5
20
± 20
75
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤ 1.67
75
E
55 / 150 / 56
V
W
°C
K/W
Semiconductor Group
1
07/96
BUZ 215
Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
max.
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current IS
TC = 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
ISM
TC = 25 °C
Inverse diode forward voltage
VSD
VGS = 0 V, IF = 10 A
Reverse recovery time
trr
VR = 100 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
Reverse recovery charge
Qrr
VR = 100 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
-
-
-
-
-
-
-
1.3
180
0.65
5
20
1.6
250
1.2
Unit
A
V
ns
µC
Semiconductor Group
4
07/96
4페이지 BUZ 215
Drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(Tj)
parameter: ID = 3.2 A, VGS = 10 V
4.5
Ω
RDS (on) 3.5
3.0
2.5
2.0
98%
typ
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Gate threshold voltage
VGS (th) = ƒ(Tj)
parameter: VGS = VDS, ID = 1 mA
4.6
V
4.0
VGS(th) 3.6
98%
typ
3.2
2.8
2.4 2%
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter:VGS = 0V, f = 1MHz
10 1
Forward characteristics of reverse diode
IF = ƒ(VSD)
parameter: Tj, tp = 80 µs
10 2
nF
C
10 0
A
IF
Ciss
10 1
10 -1
Coss
Crss
10 -2
0
5 10 15 20 25 30 V 40
VDS
Semiconductor Group
7
10 0
Tj = 25 °C typ
Tj = 150 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 150 °C (98%)
10 -1
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
VSD
07/96
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
다운로드 | [ BUZ215.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUZ21 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | Siemens Semiconductor Group |
BUZ21 | 19A/ 100V/ 0.100 Ohm/ N-Channel Power MOSFET | Intersil Corporation |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |