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BUZ215 데이터시트 PDF




Siemens Semiconductor Group에서 제조한 전자 부품 BUZ215은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUZ215 자료 제공

부품번호 BUZ215 기능
기능 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET)
제조업체 Siemens Semiconductor Group
로고 Siemens Semiconductor Group 로고


BUZ215 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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BUZ215 데이터시트, 핀배열, 회로
BUZ 215
SIPMOS ® Power Transistor
• N channel
• Enhancement mode
• FREDFET
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 215
VDS
500 V
ID
5A
RDS(on)
1.5
Maximum Ratings
Parameter
Drain source voltage
Drain-gate voltage
RGS = 20 k
Continuous drain current
TC = 30 °C
Pulsed drain current
TC = 25 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Package
TO-220 AB
Symbol
VDS
VDGR
ID
IDpuls
VGS
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJA
Ordering Code
C67078-A1400-A2
Values
500
Unit
V
500
A
5
20
± 20
75
-55 ... + 150
-55 ... + 150
1.67
75
E
55 / 150 / 56
V
W
°C
K/W
Semiconductor Group
1
07/96




BUZ215 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BUZ 215
Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
max.
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current IS
TC = 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
ISM
TC = 25 °C
Inverse diode forward voltage
VSD
VGS = 0 V, IF = 10 A
Reverse recovery time
trr
VR = 100 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
Reverse recovery charge
Qrr
VR = 100 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
-
-
-
-
-
-
-
1.3
180
0.65
5
20
1.6
250
1.2
Unit
A
V
ns
µC
Semiconductor Group
4
07/96

4페이지










BUZ215 전자부품, 판매, 대치품
BUZ 215
Drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(Tj)
parameter: ID = 3.2 A, VGS = 10 V
4.5
RDS (on) 3.5
3.0
2.5
2.0
98%
typ
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Gate threshold voltage
VGS (th) = ƒ(Tj)
parameter: VGS = VDS, ID = 1 mA
4.6
V
4.0
VGS(th) 3.6
98%
typ
3.2
2.8
2.4 2%
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter:VGS = 0V, f = 1MHz
10 1
Forward characteristics of reverse diode
IF = ƒ(VSD)
parameter: Tj, tp = 80 µs
10 2
nF
C
10 0
A
IF
Ciss
10 1
10 -1
Coss
Crss
10 -2
0
5 10 15 20 25 30 V 40
VDS
Semiconductor Group
7
10 0
Tj = 25 °C typ
Tj = 150 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 150 °C (98%)
10 -1
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
VSD
07/96

7페이지


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