|
|
|
부품번호 | BUZ346 기능 |
|
|
기능 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | ||
제조업체 | Siemens Semiconductor Group | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
SIPMOS ® Power Transistor
BUZ 346
Not for new design
• N channel
• Enhancement mode
• Avalanche-rated
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 346
VDS
50 V
ID
58 A
RDS(on)
0.018 Ω
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
TC = 73 °C
Pulsed drain current
TC = 25 °C
Avalanche current,limited by Tjmax
Avalanche energy,periodic limited by Tjmax
Avalanche energy, single pulse
ID = 58 A, VDD = 25 V, RGS = 25 Ω
L = 21.4 µH, Tj = 25 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Package
TO-218 AA
Symbol
ID
IDpuls
IAR
EAR
EAS
VGS
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJA
Ordering Code
C67078-S3120-A2
Values
58
232
58
4.5
Unit
A
mJ
72
± 20
170
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤ 0.74
≤ 75
C
55 / 150 / 56
V
W
°C
K/W
Semiconductor Group
1
07/96
BUZ 346
Not for new design
Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
max.
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current IS
TC = 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
ISM
TC = 25 °C
Inverse diode forward voltage
VSD
VGS = 0 V, IF = 116 A
Reverse recovery time
trr
VR = 30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
Reverse recovery charge
Qrr
VR = 30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
-
-
-
-
-
-
-
1.6
100
0.3
58
232
2
-
-
Unit
A
V
ns
µC
Semiconductor Group
4
07/96
4페이지 BUZ 346
Not for new design
Drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(Tj)
parameter: ID = 47 A, VGS = 10 V
0.045
Ω
RDS (on0).035
0.030
0.025
0.020
0.015
98%
typ
0.010
0.005
0.000
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Gate threshold voltage
VGS (th) = ƒ(Tj)
parameter: VGS = VDS, ID = 1 mA
4.6
V
4.0
VGS(th) 3.6
3.2
98%
typ
2.8
2.4 2%
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter:VGS = 0V, f = 1MHz
10 1
Forward characteristics of reverse diode
IF = ƒ(VSD)
parameter: Tj, tp = 80 µs
10 3
nF
C
10 0
Ciss
Coss
Crss
A
IF
10 2
10 -1
10 -2
0
5 10 15 20 25 30 V 40
VDS
Semiconductor Group
7
10 1
Tj = 25 °C typ
Tj = 150 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 150 °C (98%)
10 0
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
VSD
07/96
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
다운로드 | [ BUZ346.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUZ34 | main ratings | Siemens Semiconductor Group |
BUZ341 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | Siemens Semiconductor Group |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |