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BUZ45B 데이터시트 PDF




Intersil Corporation에서 제조한 전자 부품 BUZ45B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUZ45B 자료 제공

부품번호 BUZ45B 기능
기능 10A/ 500V/ 0.500 Ohm/ N-Channel Power MOSFET
제조업체 Intersil Corporation
로고 Intersil Corporation 로고


BUZ45B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUZ45B 데이터시트, 핀배열, 회로
Semiconductor
Data Sheet
BUZ45B
October 1998 File Number 2259.1
10A, 500V, 0.500 Ohm, N-Channel Power
Features
[ /Title
(BUZ45
B)
/Subject
MOSFET
This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power
field effect transistor designed for applications such as
switching regulators, switching converters, motor drivers,
relay drivers, and drivers for high power bipolar switching
• 10A, 500V
• rDS(ON) = 0.500
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
(10A, transistors requiring high speed and low gate drive power.
500V, This type can be operated directly from integrated circuits.
0.500 Formerly developmental type TA17435.
Ohm, N-
Channel Ordering Information
Power
PART NUMBER
PACKAGE
BRAND
MOS- BUZ45B
TO-204AA
BUZ45B
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Majority Carrier Device
Symbol
D
FET)
NOTE: When ordering, use the entire part number.
/Author
G
()
/Key-
S
words
(Harris
Semi- Packaging
conduc-
tor, N-
JEDEC TO-204AA
Channel
Power
MOS-
FET,
DRAIN
(FLANGE)
TO-
204AA)
/Creator
SOURCE (PIN 2)
() GATE (PIN 1)
/DOCIN
FO pdf-
mark
[ /Page-
Mode
/UseOut-
lines
/DOC-
VIEW
1 CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.
1-800-4-HARRIS | Copyright © Harris Corporation 1998




BUZ45B pdf, 반도체, 판매, 대치품
BUZ45B
Typical Performance Curves Unless Otherwise Specified (Continued)
15
PULSE DURATION = 80µs
VDS = 25V
TJ = 25oC
10
5
2.0
PULSE DURATION = 80µs
VGS = 5V 5.5V 6V 6.5V 7V
1.5
1.0
7.5V
8V
9V
0.5
10V
20V
0
05
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 6. TRANSFER CHARACTERISTICS
10
1.6
ID = 5A
VGS = 10V
PULSE DURATION = 80µs
1.2
0
0 10 20 30
ID, DRAIN CURRENT (A)
FIGURE 7. DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs GATE
VOLTAGE AND DRAIN CURRENT
4
VDS = VGS, ID = 1mA
3
0.8 2
0.4 1
0
-50
0 50 100
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)
FIGURE 8. DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs
JUNCTION TEMPERATURE
150
101
CISS
100
10-1
VGS = 0, f = 1MHz
CISS = CGS + CGD
CRSS = CGD
COSS = CDS + CGS
10-2
0
10
20
30
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
COSS
CRSS
40
FIGURE 10. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
0
-50
0 50 100
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)
150
FIGURE 9. GATE THRESHOLD VOLTAGE vs JUNCTION
TEMPERATURE
7
PULSE DURATION = 80µs
VDS = 25V
6 TJ = 25oC
5
4
3
2
1
0 0 5 10 15
ID, DRAIN CURRENT (A)
FIGURE 11. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
4

4페이지












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