Datasheet.kr   

BUZ50B 데이터시트 PDF




Siemens Semiconductor Group에서 제조한 전자 부품 BUZ50B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUZ50B 자료 제공

부품번호 BUZ50B 기능
기능 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)
제조업체 Siemens Semiconductor Group
로고 Siemens Semiconductor Group 로고


BUZ50B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BUZ50B 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
SIPMOS ® Power Transistor
• N channel
• Enhancement mode
BUZ 50 B
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 50 B
VDS
ID
1000 V 2 A
RDS(on)
8
Maximum Ratings
Parameter
Drain source voltage
Drain-gate voltage
RGS = 20 k
Continuous drain current
TC = 25 °C
Pulsed drain current
TC = 25 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Package
TO-220 AB
Ordering Code
C67078-A1307-A4
Symbol
VDS
VDGR
ID
IDpuls
VGS
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJA
Values
1000
Unit
V
1000
2
A
8
± 20
V
W
78
-55 ... ...+ 150 °C
-55 ... ...+ 150
1.6
K/W
75
C
55 / 150 / 56
Semiconductor Group
1
07/96




BUZ50B pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
BUZ 50 B
Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
max.
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current IS
TC = 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
ISM
TC = 25 °C
Inverse diode forward voltage
VSD
VGS = 0 V, IF = 6 A
Reverse recovery time
trr
VR = 100 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
Reverse recovery charge
Qrr
VR = 100 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
-
-
-
-
-
-2
-8
1.05
1.3
2-
15 -
Unit
A
V
µs
µC
Semiconductor Group
4
07/96

4페이지










BUZ50B 전자부품, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
BUZ 50 B
Drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(Tj)
parameter: ID = 1.5 A, VGS = 10 V
38
32
RDS (on)
28
24
20
16
98%
12 typ
8
4
0
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Gate threshold voltage
VGS (th) = ƒ(Tj)
parameter: VGS = VDS, ID = 1 mA
4.6
V
4.0
VGS(th) 3.6
3.2
98%
typ
2.8
2.4 2%
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter:VGS = 0V, f = 1MHz
10 1
Forward characteristics of reverse diode
IF = ƒ(VSD)
parameter: Tj, tp = 80 µs
10 1
nF
C
10 0
A
Ciss
IF
10 0
10 -1
Coss
Crss
10 -2
0
5 10 15 20 25 30 V 40
VDS
Semiconductor Group
7
10 -1
Tj = 25 °C typ
Tj = 150 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 150 °C (98%)
10 -2
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
VSD
07/96

7페이지


구       성 총 9 페이지수
다운로드[ BUZ50B.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BUZ50A

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)

Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BUZ50A

HIGH VOLTAGE POWER MOSFET N-CHANNEL

ETC
ETC

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵