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부품번호 | BUZ50B 기능 |
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기능 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode) | ||
제조업체 | Siemens Semiconductor Group | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
www.DataSheet4U.com
SIPMOS ® Power Transistor
• N channel
• Enhancement mode
BUZ 50 B
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 50 B
VDS
ID
1000 V 2 A
RDS(on)
8Ω
Maximum Ratings
Parameter
Drain source voltage
Drain-gate voltage
RGS = 20 kΩ
Continuous drain current
TC = 25 °C
Pulsed drain current
TC = 25 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Package
TO-220 AB
Ordering Code
C67078-A1307-A4
Symbol
VDS
VDGR
ID
IDpuls
VGS
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJA
Values
1000
Unit
V
1000
2
A
8
± 20
V
W
78
-55 ... ...+ 150 °C
-55 ... ...+ 150
≤ 1.6
K/W
75
C
55 / 150 / 56
Semiconductor Group
1
07/96
www.DataSheet4U.com
BUZ 50 B
Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
max.
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current IS
TC = 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
ISM
TC = 25 °C
Inverse diode forward voltage
VSD
VGS = 0 V, IF = 6 A
Reverse recovery time
trr
VR = 100 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
Reverse recovery charge
Qrr
VR = 100 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
-
-
-
-
-
-2
-8
1.05
1.3
2-
15 -
Unit
A
V
µs
µC
Semiconductor Group
4
07/96
4페이지 www.DataSheet4U.com
BUZ 50 B
Drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(Tj)
parameter: ID = 1.5 A, VGS = 10 V
38
Ω
32
RDS (on)
28
24
20
16
98%
12 typ
8
4
0
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Gate threshold voltage
VGS (th) = ƒ(Tj)
parameter: VGS = VDS, ID = 1 mA
4.6
V
4.0
VGS(th) 3.6
3.2
98%
typ
2.8
2.4 2%
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter:VGS = 0V, f = 1MHz
10 1
Forward characteristics of reverse diode
IF = ƒ(VSD)
parameter: Tj, tp = 80 µs
10 1
nF
C
10 0
A
Ciss
IF
10 0
10 -1
Coss
Crss
10 -2
0
5 10 15 20 25 30 V 40
VDS
Semiconductor Group
7
10 -1
Tj = 25 °C typ
Tj = 150 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 150 °C (98%)
10 -2
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
VSD
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUZ50A | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode) | Siemens Semiconductor Group |
BUZ50A | HIGH VOLTAGE POWER MOSFET N-CHANNEL | ETC |
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