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BUZ72 데이터시트 PDF




Siemens Semiconductor Group에서 제조한 전자 부품 BUZ72은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUZ72 자료 제공

부품번호 BUZ72 기능
기능 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
제조업체 Siemens Semiconductor Group
로고 Siemens Semiconductor Group 로고


BUZ72 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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BUZ72 데이터시트, 핀배열, 회로
BUZ 72
SIPMOS ® Power Transistor
• N channel
• Enhancement mode
• Avalanche-rated
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 72
VDS
100 V
ID
10 A
RDS(on)
0.2
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
TC = 25 °C
Pulsed drain current
TC = 25 °C
Avalanche current,limited by Tjmax
Avalanche energy,periodic limited by Tjmax
Avalanche energy, single pulse
ID = 10 A, VDD = 25 V, RGS = 25
L = 885 µH, Tj = 25 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Package
TO-220 AB
Symbol
ID
IDpuls
IAR
EAR
EAS
VGS
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJA
Ordering Code
C67078-S1313-A2
Values
10
40
10
7.9
Unit
A
mJ
59
± 20
40
-55 ... + 150
-55 ... + 150
3.1
75
E
55 / 150 / 56
V
W
°C
K/W
Semiconductor Group
1
07/96




BUZ72 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BUZ 72
Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
max.
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current IS
TC = 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
ISM
TC = 25 °C
Inverse diode forward voltage
VSD
VGS = 0 V, IF = 20 A
Reverse recovery time
trr
VR = 30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
Reverse recovery charge
Qrr
VR = 30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
-
-
-
-
-
-
-
1.4
170
0.3
10
40
1.6
-
-
Unit
A
V
ns
µC
Semiconductor Group
4
07/96

4페이지










BUZ72 전자부품, 판매, 대치품
BUZ 72
Drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(Tj)
parameter: ID = 6 A, VGS = 10 V
0.65
0.55
RDS (on)0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
-60
-20
98%
typ
20 60
100 °C 160
Tj
Gate threshold voltage
VGS (th) = ƒ(Tj)
parameter: VGS = VDS, ID = 1 mA
4.6
V
4.0
VGS(th) 3.6
3.2
98%
typ
2.8
2.4 2%
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter:VGS = 0V, f = 1MHz
10 1
Forward characteristics of reverse diode
IF = ƒ(VSD)
parameter: Tj, tp = 80 µs
10 2
nF
C
10 0
A
IF
10 1
Ciss
10 -1
Coss
Crss
10 -2
0
5 10 15 20 25 30 V 40
VDS
Semiconductor Group
7
10 0
Tj = 25 °C typ
Tj = 150 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 150 °C (98%)
10 -1
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
VSD
07/96

7페이지


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