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부품번호 | BUZ73L 기능 |
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기능 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) | ||
제조업체 | Siemens Semiconductor Group | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
BUZ 73 L
SIPMOS ® Power Transistor
• N channel
• Enhancement mode
• Avalanche-rated
• Logic Level
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 73 L
VDS
200 V
ID
7A
RDS(on)
0.4 Ω
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
TC = 28 °C
Pulsed drain current
TC = 25 °C
Avalanche current,limited by Tjmax
Avalanche energy,periodic limited by Tjmax
Avalanche energy, single pulse
ID = 7 A, VDD = 50 V, RGS = 25 Ω
L = 3.67 mH, Tj = 25 °C
Gate source voltage
Gate-source peak voltage,aperiodic
Power dissipation
TC = 25 °C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Package
TO-220 AB
Symbol
ID
IDpuls
IAR
EAR
EAS
VGS
Vgs
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJA
Ordering Code
C67078-S1328-A2
Values
7
28
7
6.5
Unit
A
mJ
120
± 14
± 20
40
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤ 3.1
75
E
55 / 150 / 56
V
W
°C
K/W
Semiconductor Group
1
07/96
BUZ 73 L
Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
max.
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current IS
TC = 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
ISM
TC = 25 °C
Inverse diode forward voltage
VSD
VGS = 0 V, IF = 14 A
Reverse recovery time
trr
VR = 100 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
Reverse recovery charge
Qrr
VR = 100 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
-
-
-
-
-
-
-
1.1
140
0.7
7
28
1.7
-
-
Unit
A
V
ns
µC
Semiconductor Group
4
07/96
4페이지 BUZ 73 L
Drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(Tj)
parameter: ID = 3.5 A, VGS = 5 V
1.3
Ω
1.1
RDS (on) 1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-60
-20
98%
typ
20 60
100 °C 160
Tj
Gate threshold voltage
VGS (th) = ƒ(Tj)
parameter: VGS = VDS, ID = 1 mA
4.6
V
4.0
VGS(th) 3.6
3.2
2.8
2.4
98%
2.0
typ
1.6
2%
1.2
0.8
0.4
0.0
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter:VGS = 0V, f = 1MHz
10 4
Forward characteristics of reverse diode
IF = ƒ(VSD)
parameter: Tj, tp = 80 µs
10 2
pF
C
10 3
A
I
F
10 1
Ciss
10 2
Coss
Crss
10 1
0
5 10 15 20 25 30 V 40
VDS
Semiconductor Group
7
10 0
Tj = 25 °C typ
Tj = 150 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 150 °C (98%)
10 -1
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
VSD
07/96
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUZ73 | SIPMOS Power Transistor | Siemens Semiconductor Group |
BUZ73 | SIPMOS Power Transistor | Infineon Technologies AG |
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