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부품번호 | BUZ76 기능 |
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기능 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | ||
제조업체 | Siemens Semiconductor Group | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
BUZ 76
SIPMOS ® Power Transistor
• N channel
• Enhancement mode
• Avalanche-rated
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 76
VDS
400 V
ID
3A
RDS(on)
1.8 Ω
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
TC = 37 °C
Pulsed drain current
TC = 25 °C
Avalanche current,limited by Tjmax
Avalanche energy,periodic limited by Tjmax
Avalanche energy, single pulse
ID = 3 A, VDD = 50 V, RGS = 25 Ω
L = 35 mH, Tj = 25 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Package
TO-220 AB
Symbol
ID
IDpuls
IAR
EAR
EAS
VGS
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJA
Ordering Code
C67078-S1315-A2
Values
3
12
3
5
Unit
A
mJ
180
± 20
40
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤ 3.1
75
E
55 / 150 / 56
V
W
°C
K/W
Semiconductor Group
1
07/96
BUZ 76
Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
max.
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current IS
TC = 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
ISM
TC = 25 °C
Inverse diode forward voltage
VSD
VGS = 0 V, IF = 6 A
Reverse recovery time
trr
VR = 100 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
Reverse recovery charge
Qrr
VR = 100 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs
-
-
-
-
-
-
-
1
300
2.5
3
12
1.4
-
-
Unit
A
V
ns
µC
Semiconductor Group
4
07/96
4페이지 BUZ 76
Drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(Tj)
parameter: ID = 2 A, VGS = 10 V
7.0
Ω
6.0
RDS (on) 5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60
-20
98%
typ
20 60
100 °C 160
Tj
Gate threshold voltage
VGS (th) = ƒ(Tj)
parameter: VGS = VDS, ID = 1 mA
4.6
V
4.0
VGS(th) 3.6
3.2
98%
typ
2.8
2.4 2%
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter:VGS = 0V, f = 1MHz
10 1
Forward characteristics of reverse diode
IF = ƒ(VSD)
parameter: Tj, tp = 80 µs
10 2
nF
C
10 0
A
IF
10 1
Ciss
10 -1
Coss
10 -2
0
Crss
5 10 15 20 25 30 V 40
VDS
Semiconductor Group
7
10 0
Tj = 25 °C typ
Tj = 150 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 150 °C (98%)
10 -1
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
VSD
07/96
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구 성 | 총 9 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUZ70 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | Siemens Semiconductor Group |
BUZ70L | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) | Siemens Semiconductor Group |
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