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BSL307SP 데이터시트 PDF




Infineon Technologies AG에서 제조한 전자 부품 BSL307SP은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BSL307SP 자료 제공

부품번호 BSL307SP 기능
기능 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
제조업체 Infineon Technologies AG
로고 Infineon Technologies AG 로고


BSL307SP 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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BSL307SP 데이터시트, 핀배열, 회로
Rev 2.0
BSL307SP
OptiMOS-P Small-Signal-Transistor
Feature
P-Channel
Enhancement mode
Logic Level
150°C operating temperature
Avalanche rated
dv/dt rated
 Qualified according to AEC Q101
 Halogen free according to IEC61249­2­21
Type
BSL307SP
Package
Tape and reel Marking
PG-TSOP-6-1 H6327: 3000pcs/r. sPC
Product Summary
VDS -30 V
RDS(on) 43 m
ID -5.5 A
PG-TSOP-6-1
43
52
61
Gate
pin 3
Drain
pin 1,2,
5,6
Source
pin 4
Maximum Ratings,at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
TA=25°C
TA=70°C
ID
Pulsed drain current
TA=25°C
Avalanche energy, single pulse
ID=-5.5 A , VDD=-25V, RGS=25
Reverse diode dv/dt
ID puls
EAS
dv/dt
IS=-5.5A, VDS=24V, di/dt=200A/µs, Tjmax=150°C
Gate source voltage
Power dissipation
TA=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
VGS
Ptot
Tj , Tstg
ESD Class
JESD22-A114-HBM
Value
-5.5
-4.4
-22
44
-6
±20
2
-55... +150
55/150/56
Class 1a
Unit
A
mJ
kV/µs
V
W
°C
Page 1
2014-01-09




BSL307SP pdf, 반도체, 판매, 대치품
Rev 2.0
BSL307SP
1 Power dissipation
Ptot = f (TA)
BSL307SP
2.2
W
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TA
3 Safe operating area
ID = f ( VDS )
parameter : D = 0 , TA = 25 °C
-10 2 BSL307SP
A
-10 1
/I D
= V DS
R DS(on)
tp = 90.0µs
100 µs
1 ms
2 Drain current
ID = f (TA)
parameter: |VGS|10 V
BSL307SP
-6
A
-5
-4.5
-4
-3.5
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0
20 40 60 80 100 120 °C 160
TA
4 Transient thermal impedance
ZthJS = f (tp)
parameter : D = tp/T
10 2 BSL307SP
K/W
10 1
10 0
-10 0
-10 -1
-10
-2
-10
-1
-10 0
10 ms
DC
10 -1
10 -2
10 -3
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
-10 1
V -10 2
VDS
Page 4
10
-4
10
-7
10 -6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s 10 0
tp
2014-01-09

4페이지










BSL307SP 전자부품, 판매, 대치품
13 Typ. avalanche energy
EAS = f (Tj), par.: ID = -5.5 A
VDD = -25 V, RGS = 25
45
mJ
Rev 2.0
BSL307SP
14 Typ. gate charge
|VGS| = f (QGate)
parameter: ID = -5.5 A pulsed
18
V
35
30
25
20
15
10
5
0
25 50 75 100 °C 150
Tj
15 Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = f (Tj)
14
12 0.2 VDS max.
0.5 VDS max.
10 0.8 VDS max.
8
6
4
2
0
0 5 10 15 20 25 nC 35
|QGate|
-36
V
-34
-33
-32
-31
-30
-29
-28
-27
-60 -20 20 60 100 °C 180
Tj
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7페이지


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