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BSM150GB120DN2 데이터시트 PDF




Siemens Semiconductor Group에서 제조한 전자 부품 BSM150GB120DN2은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BSM150GB120DN2 자료 제공

부품번호 BSM150GB120DN2 기능
기능 IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
제조업체 Siemens Semiconductor Group
로고 Siemens Semiconductor Group 로고


BSM150GB120DN2 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BSM150GB120DN2 데이터시트, 핀배열, 회로
IGBT Power Module
BSM 150 GB 120 DN2
• Half-bridge
• Including fast free-wheeling diodes
• Package with insulated metal base plate
Type
BSM 150 GB 120 DN2
VCE IC
Package
1200V 210A HALF-BRIDGE 2
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
RGE = 20 k
Gate-emitter voltage
DC collector current
TC = 25 °C
TC = 80 °C
Pulsed collector current, tp = 1 ms
TC = 25 °C
TC = 80 °C
Power dissipation per IGBT
TC = 25 °C
Chip temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Insulation test voltage, t = 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Symbol
VCE
VCGR
VGE
IC
ICpuls
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJCD
Vis
-
-
-
-
Ordering Code
C67076-A2108-A70
Values
1200
Unit
V
1200
± 20
210
150
A
420
300
1250
+ 150
-55 ... + 150
0.1
0.25
2500
20
11
F
55 / 150 / 56
W
°C
K/W
Vac
mm
-
Semiconductor Group
1
Mar-28-1996




BSM150GB120DN2 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BSM 150 GB 120 DN2
Power dissipation
Ptot = ƒ(TC)
parameter: Tj 150 °C
1300
W
1100
Ptot 1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Collector current
IC = ƒ(TC)
parameter: VGE 15 V , Tj 150 °C
240
A
200
IC
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Safe operating area
IC = ƒ(VCE)
parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj 150 °C
10 3
A
IC
tp = 18.0µs
10 2
100 µs
10 1
1 ms
10 ms
10 0
10 0
10 1
10 2 DC10 3 V
VCE
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp)
parameter: D = tp / T
IGBT
10 0
K/W
ZthJC 10 -1
10 -2
10 -3
single pulse
10 -4
10 -5
10 -4
10 -3
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10 -2
10 -1
tp
s 10 0
Semiconductor Group
4
Mar-28-1996

4페이지










BSM150GB120DN2 전자부품, 판매, 대치품
BSM 150 GB 120 DN2
Typ. switching time
I = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 5.6
10 4
ns
t
10 3
10 2
tdoff
tdon
tr
tf
Typ. switching time
t = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, IC = 150 A
10 4
ns
t
10 3
10 2
tdoff
tdon
tr
tf
10 1
0
50 100 150 200 250 300 A 400
IC
Typ. switching losses
E = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 5.6
120
10 1
0
10 20 30 40
60
RG
Typ. switching losses
E = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600V, VGE = ± 15 V, IC = 150 A
120
mWs
E
80
60
Eon mWs
E
80
60
Eon
40
Eoff
20
0
0 50 100 150 200 250 300 A 400
IC
Semiconductor Group
7
40
Eoff
20
0
0 10 20 30 40 60
RG
Mar-28-1996

7페이지


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