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부품번호 | BSM200GB120 기능 |
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기능 | IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes) | ||
제조업체 | Siemens Semiconductor Group | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
BSM 200 GB 120 DL
IGBT Power Module
Preliminary data
• Low Loss IGBT
• Low inductance halfbridge
• Including fast free- wheeling diodes
• Package with insulated metal base plate
Type
BSM 200 GB 120 DL
VCE IC
Package
1200V 340A HALF-BRIDGE 2
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
RGE = 20 kΩ
Gate-emitter voltage
DC collector current
TC = 25 °C
TC = 80 °C
Pulsed collector current, tp = 1 ms
TC = 25 °C
TC = 80 °C
Power dissipation per IGBT
TC = 25 °C
Chip temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Insulation test voltage, t = 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Symbol
VCE
VCGR
VGE
IC
ICpuls
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJCD
Vis
-
-
-
-
Ordering Code
C67076-A2300-A70
Values
1200
Unit
V
1200
± 20
340
200
A
680
400
1400
+ 150
-40 ... + 125
≤ 0.09
≤ 0.18
2500
20
11
F
40 / 125 / 56
W
°C
K/W
Vac
mm
sec
Semiconductor Group
1
Feb-14-1997
BSM 200 GB 120 DL
Power dissipation
Ptot = ƒ(TC)
parameter: Tj ≤ 150 °C
1500
W
1300
Ptot 1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Collector current
IC = ƒ(TC)
parameter: VGE ≥ 15 V , Tj ≤ 150 °C
340
A
280
IC
240
200
160
120
80
40
0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Safe operating area
IC = ƒ(VCE)
parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj ≤ 150 °C
10 3
tp = 42.0µs
A
IC
10 2
100 µs
10 1
1 ms
10 ms
10 0
10 0
10 1
10 2
DC
10
3
V
VCE
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp)
parameter: D = tp / T
IGBT
10 0
K/W
10 -1
ZthJC
10 -2
10 -3
10 -4
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10 -5
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
tp
s 10 0
Semiconductor Group
4
Feb-14-1997
4페이지 BSM 200 GB 120 DL
Typ. switching time
I = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 4.7 Ω
10 4
ns
t
10 3
10 2
tdoff
tdon
tr
tf
Typ. switching time
t = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, IC = 200 A
10 4
ns
t
10 3
10 2
tdoff
tdon
tr
tf
10 1
0
100 200 300
A 500
IC
Typ. switching losses
E = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 4.7 Ω
130
mWs
110
E 100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
Eoff
Eon
100 200
300
A 500
IC
10 1
0
10 20 30 40
Ω 60
RG
Typ. switching losses
E = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600V, VGE = ± 15 V, IC = 200 A
130
mWs
110
E 100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
Eon
Eoff
10 20 30 40 Ω 60
RG
Semiconductor Group
7
Feb-14-1997
7페이지 | |||
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