Datasheet.kr   

BSP76 데이터시트 PDF




Infineon Technologies AG에서 제조한 전자 부품 BSP76은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BSP76 자료 제공

부품번호 BSP76 기능
기능 Smart Lowside Power Switch
제조업체 Infineon Technologies AG
로고 Infineon Technologies AG 로고


BSP76 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BSP76 데이터시트, 핀배열, 회로
HITFETÒ II.Generation BSP 76
Smart Lowside Power Switch
Features
Product Summary
· Logic Level Input
Drain source voltage
· Input Protection (ESD)
On-state resistance
· Thermal shutdown with
auto restart
Nominal load current
Clamping energy
· Overload protection
· Short circuit protection
· Overvoltage protection
· Current limitation
· Analog driving possible
Application
· All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching
or linear applications
· µC compatible power switch for 12 V DC applications
· Replaces electromechanical relays and discrete circuits
VDS
RDS(on)
ID(Nom)
EAS
4
42 V
200 mW
1.4 A
150 mJ
3
2
1 VPS05163
General Description
N channel vertical power FET in Smart SIPMOSÒ technology. Fully protected by embedded
protection functions.
Vbb
HITFET â
In
Pin 1
Gate-Driving
Unit
Current
Limitation
Overvoltage-
Protection
ESD
Overload
Protection
Over-
temperature
Protection
Short circuit
Protection
Drain
Pin 2 and 4 (TAB)
Source
Pin 3
M
Complete product spectrum and additional information http://www.infineon.com/hitfet
Page 1
2004-03-05




BSP76 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical Characteristics
Parameter
at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Dynamic Characteristics
Turn-on time VIN to 90% ID:
RL = 4.7 W, VIN = 0 to 10 V, Vbb = 12 V
Turn-off time VIN to 10% ID:
RL = 4.7 W, VIN = 10 to 0 V, Vbb = 12 V
Slew rate on
70 to 50% Vbb:
RL = 4.7 W, VIN = 0 to 10 V, Vbb = 12 V
Slew rate off
50 to 70% Vbb:
RL = 4.7 W, VIN = 10 to 0 V, Vbb = 12 V
Protection Functions1)
Thermal overload trip temperature
Thermal hysteresis 2)
Input current protection mode
Tj = 150 °C
Unclamped single pulse inductive energy 2)
ID = 1.4 A, Tj = 25 °C, Vbb = 12 V
Inverse Diode
Inverse diode forward voltage
IF = 7 A, tm = 250 µs, VIN = 0 V,
tP = 300 µs
BSP 76
Symbol
Values
Unit
min. typ. max.
ton -
toff -
-dVDS/dton -
dVDS/dtoff
-
45 100 µs
60 100
0.4 1.5 V/µs
0.6 1.5
Tjt
DTjt
IIN(Prot)
150 175
- °C
- 10 - K
- 40 300 µA
EAS
150 -
- mJ
VSD - 1 1.5 V
1Integrated protection functions are designed to prevent IC destruction under fault conditions
described in the data sheet. Fault conditions are considered as "outside" normal operating range.
Protection functions are not designed for continuous repetitive operation.
2not subject to production test, specified by design
Page 4
2004-03-05

4페이지










BSP76 전자부품, 판매, 대치품
BSP 76
5 Typ. transfer characteristics
ID=f(VIN); VDS=12V; TJstart=25°C
8
A
6 Typ. short circuit current
ID(lim) = f(Tj); VDS=12V
Parameter: VIN
10
A
8
6
7
5 6 Vin=10V
45
5V
34
3
2
2
11
00 1 2 3 4 5 6 7
7 Typ. output characteristics
ID=f(VDS); TJstart=25°C
Parameter: VIN
10 Vin=10V
A 7V
8 V 10
VIN
0-50 -25 0 25 50 75 100 125 °C 175
Tj
8 Off-state drain current
IDSS = f(Tj)
11
µA max.
89
6V
7
8
5V
6
7
4V
6
5
5
4
4
3
3
3V
2
2
11
typ.
00 1 2 3 4 V 6
VDS
0-50 -25 0 25 50 75 100 125 °C 175
Tj
Page 7
2004-03-05

7페이지


구       성 총 10 페이지수
다운로드[ BSP76.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BSP716N

Small-Signal-Transistor

Infineon
Infineon
BSP742R

Smart Power High-Side-Switch

Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵