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BSP762 데이터시트 PDF




Infineon Technologies AG에서 제조한 전자 부품 BSP762은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BSP762 자료 제공

부품번호 BSP762 기능
기능 Smart Power High-Side-Switch
제조업체 Infineon Technologies AG
로고 Infineon Technologies AG 로고


BSP762 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BSP762 데이터시트, 핀배열, 회로
BSP 762 T
Smart Power High-Side-Switch
Features
Product Summary
Overload protection
Overvoltage protection
Current limitation
Operating voltage
Short circuit protection
On-state resistance
Thermal shutdown with restart
Nominal load current
Overvoltage protection (including load dump)
Fast demagnetization of inductive loads
Reverse battery protection with external resistor
CMOS compatible input
Loss of GND and loss of Vbb protection
ESD - Protection
Very low standby current
Vbb(AZ)
Vbb(on)
RON
IL(nom)
41
5...34
100
2
V
V
m
A
Application
All types of resistive, inductive and capacitive loads
µC compatible power switch for 12 V and 24 V DC applications
Replaces electromechanical relays and discrete circuits
General Description
N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input,
monolithically integrated in Smart SIPMOStechnology.
Providing embedded protective functions.
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2004-01-27




BSP762 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BSP 762 T
Electrical Characteristics
Parameter and Conditions
Symbol
at Tj = -40...+150°C, Vbb = 13,5V, unless otherwise specified
Load Switching Capabilities and Characteristics
On-state resistance
Tj = 25 °C, IL = 2 A, Vbb = 9...40 V
Tj = 150 °C
Nominal load current; Device on PCB 1)
TC = 85 °C, Tj 150 °C
Turn-on time
RL = 47
to 90% VOUT
Turn-off time
RL = 47
to 10% VOUT
RON
IL(nom)
ton
toff
Slew rate on 10 to 30% V OUT,
RL = 47
dV/dton
Slew rate off 70 to 40% V OUT,
RL = 47
-dV/dtoff
Values
Unit
min. typ. max.
m
- 70 100
- 140 200
2 2.4 - A
- 90 170 µs
- 90 230
- 0.8 1.7 V/µs
- 0.8 1.7
Operating Parameters
Operating voltage
Undervoltage shutdown of charge pump
Tj = -40...+85 °C
Tj = 150 °C
Undervoltage restart of charge pump
Standby current
Tj = -40...+85 °C, VIN = 0 V
Tj = 150°C2) , VIN = 0 V
Leakage output current (included in Ibb(off))
VIN = 0 V
Operating current
VIN = 5 V
Vbb(on)
Vbb(under)
Vbb(u cp)
Ibb(off)
IL(off)
5
-
-
-
-
-
-
IGND
-
- 34 V
-4
- 5.5
4 5.5
µA
- 10
- 15
-5
0.5 1.3 mA
1Device on 50mm*50mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air. (see page 16)
2higher current due temperature sensor
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2004-01-27

4페이지










BSP762 전자부품, 판매, 대치품
Terms
I IN
V IN
Vbb
Ibb
Vbb
IL
IN PROFET OUT
VON
GND
RGND
IGND
VOUT
Input circuit (ESD protection)
IN RI
ESD- ZDI
GND
II
The use of ESD zener diodes as voltage clamp
at DC conditions is not recommended
Reverse battery protection
- Vbb
Logic
IN R I
Power
Inverse
Diode
OUT
GND
R GND
Signal GND
RL
Power GND
RGND=150, RI=3.5ktyp.,
Temperature protection is not active during
inverse current
BSP 762 T
Inductive and overvoltage output clamp
+ Vbb
VZ
V ON
GND
OUT
VON clamped to 47V typ.
Overvoltage protection of logic part
IN R I
Logic
V Z2
+ Vbb
V Z1
R GND
GND
Signal GND
VZ1=6.1V typ., VZ2=Vbb(AZ)=47V typ.,
RI=3.5 ktyp., RGND=150
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2004-01-27

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