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BSR12 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BSR12은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BSR12 자료 제공

부품번호 BSR12 기능
기능 PNP switching transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BSR12 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BSR12 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D088
BSR12
PNP switching transistor
Product specification
1999 Jul 23




BSR12 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PNP switching transistor
Product specification
BSR12
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
ICBO
ICES
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)EBO
VCEOsust
collector cut-off current
collector cut-off current
breakdown voltage
breakdown voltage
breakdown voltage
collector-emitter sustaining
voltage
IE = 0; VCB = 10 V
IE = 0; VCB = 10 V; Tamb = 125 °C
VBE = 0; VCE = 10 V
IE = 0; IC = 10 µA
VBE = 0; IC = 10 µA
IC = 0; IE = 100 µA
IB = 0; IC = 10 mA
15
15
3
15
VCEsat
VBEsat
hFE
fT
collector-emitter saturation
voltage
base-emitter saturation
voltage
DC current gain
transition frequency
IC = 10 mA; IB = 1 mA; note 1
IC = 50 mA; IB = 5 mA; note 1
IC = 100 mA; IB = 10 mA; note 1
IC = 10 mA; IB = 1 mA; note 1
IC = 50 mA; IB = 5 mA; note 1
IC = 100 mA; IB = 10 mA; note 1
IC = 1 mA; VCE = 1 V; note 1
IC = 10 mA; VCE = 1 V; note 1
IC = 50 mA; VCE = 1 V; note 1
IC = 50 mA; VCE = 1 V;
Tamb = 55 °C; note 1
IC = 100 mA; VCE = 1 V; note 1
IC = 50 mA; VCE = 10 V;
f = 500 MHz
725
800
900
30
30
30
30
20
1.5
Cc
collector capacitance
IE = Ie = 0; VCB = 5 V
Ce
emitter capacitance
IC = Ic = 0; VEB = 0.5 V
Switching time (see Fig.2)
ton turn-on time
toff turn-off time
Vi = −6.85 V; VBB = 0 V;
ICon = 30 mA; IBon = 3.0 mA
Vi = 11.7 V; VBB = −9.85 V;
ICon = 30 mA; IBon = 3 mA;
IBoff = 3 mA
Note
1. Pulse test: tp = 300 µs; δ = 0.01.
TYP.
180
MAX.
50
5
50
130
270
450
920
1 150
1 500
120
4.5
6
20
30
UNIT
nA
µA
nA
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
GHz
pF
pF
ns
ns
1999 Jul 23
4

4페이지










BSR12 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PNP switching transistor
Product specification
BSR12
handbook5,0h0alfpage
VCEsat
(mV)
400
300
200
100
(1)
(2)
MGS464
0
0 40 80 120 160 200
Tj (°C)
(1) IC = 100 mA; IB = 10 mA
(2) IC = 50 mA and IB = 5 mA.
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage as a function of junction temperature; typical values.
1999 Jul 23
7

7페이지


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