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부품번호 | BSR12 기능 |
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기능 | PNP switching transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 12 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D088
BSR12
PNP switching transistor
Product specification
1999 Jul 23
Philips Semiconductors
PNP switching transistor
Product specification
BSR12
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
ICBO
ICES
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)EBO
VCEOsust
collector cut-off current
collector cut-off current
breakdown voltage
breakdown voltage
breakdown voltage
collector-emitter sustaining
voltage
IE = 0; VCB = −10 V
IE = 0; VCB = −10 V; Tamb = 125 °C
VBE = 0; VCE = −10 V
IE = 0; IC = −10 µA
VBE = 0; IC = −10 µA
IC = 0; IE = −100 µA
IB = 0; IC = −10 mA
−
−
−
−15
−15
−3
−15
VCEsat
VBEsat
hFE
fT
collector-emitter saturation
voltage
base-emitter saturation
voltage
DC current gain
transition frequency
IC = −10 mA; IB = −1 mA; note 1
IC = −50 mA; IB = −5 mA; note 1
IC = −100 mA; IB = −10 mA; note 1
IC = −10 mA; IB = −1 mA; note 1
IC = −50 mA; IB = −5 mA; note 1
IC = −100 mA; IB = −10 mA; note 1
IC = −1 mA; VCE = −1 V; note 1
IC = −10 mA; VCE = −1 V; note 1
IC = −50 mA; VCE = −1 V; note 1
IC = −50 mA; VCE = −1 V;
Tamb = 55 °C; note 1
IC = −100 mA; VCE = −1 V; note 1
IC = −50 mA; VCE = −10 V;
f = 500 MHz
−
−
−
−725
−800
−900
30
30
30
30
20
1.5
Cc
collector capacitance
IE = Ie = 0; VCB = −5 V
Ce
emitter capacitance
IC = Ic = 0; VEB = −0.5 V
−
−
Switching time (see Fig.2)
ton turn-on time
toff turn-off time
Vi = −6.85 V; VBB = 0 V;
ICon = −30 mA; IBon = −3.0 mA
Vi = 11.7 V; VBB = −9.85 V;
ICon = −30 mA; IBon = −3 mA;
IBoff = 3 mA
−
−
Note
1. Pulse test: tp = 300 µs; δ = 0.01.
TYP.
−
−
−
−
−
−
−
−
−180
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
MAX.
−50
−5
−50
−
−
−
−
−130
−270
−450
−920
−1 150
−1 500
−
−
120
−
−
−
4.5
6
20
30
UNIT
nA
µA
nA
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
GHz
pF
pF
ns
ns
1999 Jul 23
4
4페이지 Philips Semiconductors
PNP switching transistor
Product specification
BSR12
handbo−ok5,0h0alfpage
VCEsat
(mV)
−400
−300
−200
−100
(1)
(2)
MGS464
0
0 40 80 120 160 200
Tj (°C)
(1) IC = 100 mA; IB = 10 mA
(2) IC = 50 mA and IB = 5 mA.
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage as a function of junction temperature; typical values.
1999 Jul 23
7
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BSR12 | PNP switching transistor | NXP Semiconductors |
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