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부품번호 | BSX20 기능 |
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기능 | NPN switching transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D125
BSX20
NPN switching transistor
Product specification
Supersedes data of September 1994
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 May 14
Philips Semiconductors
NPN switching transistor
Product specification
BSX20
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
Switching times (between 10% and 90% levels)
ton turn-on time
td delay time
tr rise time
toff turn-off time
ts storage time
tf fall time
ton turn-on time
td delay time
tr rise time
toff turn-off time
ts storage time
tf fall time
ICon = 10 mA; IBon = 3 mA;
IBoff = −1.5 mA; see Fig.2, test
conditions A
ICon = 100 mA; IBon = 40 mA;
IBoff = −20 mA; see Fig.2, test
conditions B
MIN. TYP. MAX. UNIT
− − 10 ns
− − 4 ns
− − 6 ns
− − 30 ns
− − 15 ns
− − 15 ns
− − 13 ns
− − 3 ns
− − 10 ns
− − 35 ns
− − 25 ns
− − 10 ns
handbook, full pagewidth
VBB
VCC
(probe)
oscilloscope
450 Ω
Vi
RB
R2
R1
RC
Vo
(probe)
oscilloscope
450 Ω
DUT
MLB826
Test conditions A.
Vi = 0.5 to 4.2 V; T = 500 µs; tp = 10 µs; tr = tf ≤ 1 ns.
R1 = 56 Ω; R2 = 1 kΩ; RB = 1 kΩ; RC = 270 Ω.
VBB = 0.2 V; VCC = 2.7 V.
Test conditions B.
Vi = 0.5 to 4.52 V; T = 200 µs; tp = 10 µs; tr = tf ≤ 1 ns.
R1 = 100 Ω; R2 = 68 Ω; RB = 390 Ω; RC = 47 Ω.
VBB = −3 V; VCC = 4.6 V.
Fig.2 Test circuit for switching times.
1997 May 14
4
4페이지 Philips Semiconductors
NPN switching transistor
NOTES
Product specification
BSX20
1997 May 14
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BSX20 | NPN switching transistor | NXP Semiconductors |
BSX20 | HIGH SPEED SATURATED SWITCHES | STMicroelectronics |
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