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BT136-600 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BT136-600은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BT136-600 자료 제공

부품번호 BT136-600 기능
기능 4Q Triac
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BT136-600 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BT136-600 데이터시트, 핀배열, 회로
BT136-600
4Q Triac
Rev. 03 — 4 April 2011
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Planar passivated four quadrant triac in a SOT78 plastic package intended for use in
general purpose bidirectional switching and phase control applications.
1.2 Features and benefits
High blocking voltage capability
Less sensitive gate for improved noise
immunity
Planar passivated for voltage
ruggedness and reliability
Triggering in all four quadrants
1.3 Applications
General purpose motor control
General purpose switching
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol Parameter
Conditions
VDRM
repetitive peak
off-state voltage
ITSM
IT(RMS)
non-repetitive
peak on-state
current
RMS on-state
current
full sine wave; Tj(init) = 25 °C;
tp = 20 ms; see Figure 4;
see Figure 5
full sine wave; Tmb 107 °C;
see Figure 1; see Figure 2;
see Figure 3
Static characteristics
IGT
gate trigger
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;
current
Tj = 25 °C; see Figure 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;
Tj = 25 °C; see Figure 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G-;
Tj = 25 °C; see Figure 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G+;
Tj = 25 °C; see Figure 7
Min Typ Max Unit
- - 600 V
- - 25 A
- - 4A
- 5 35 mA
- 8 35 mA
- 11 35 mA
- 30 70 mA




BT136-600 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BT136-600
4Q Triac
8
Ptot
(W)
6
conduction
angle
(degrees)
30
60
90
120
180
form
factor
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
4
α
2
003aae827
α = 180°
120 °
90°
60°
30°
0
012345
IT(RMS) (A)
Fig 3. Total power dissipation as a function of RMS on-state current; maximum values
30
ITSM
(A)
25
003aae831
20
15
10 IT ITSM
t
5
1/f
Tj(init) = 25 °C max
0
1 10 102 103 104
number of cycles
f = 50 Hz
Fig 4. Non-repetitive peak on-state current as a function of the number of sinusoidal current cycles; maximum
values
BT136-600
Product data sheet
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Rev. 03 — 4 April 2011
© NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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BT136-600 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BT136-600
4Q Triac
3
IGT
IGT (25 °C)
2
1
(1)
(2)
(3)
(4)
003aae833
(1)
(2)
(3)
(4)
3
IL
IL(25°C)
2
1
003aae835
0
60 10
40
90 140
Tj (°C)
(1) T2- G+
(2) T2- G-
(3) T2+ G-
(4) T2+ G+
Fig 7. Normalized gate trigger current as a function of
junction temperature
0
60 10
40
90 140
Tj (°C)
Fig 8. Normalized latching current as a function of
junction temperature
2.0
IH
IH(25°C)
1.5
003aae837
12
IT
(A)
8
003aae834
1.0
4
0.5
(1) (2) (3)
0
60 10
40
90 140
Tj (°C)
Fig 9. Normalized holding current as a function of
junction temperature
0
0123
VT (V)
Vo = 1.27 V
Rs = 0.091
(1) Tj = 125 °C; typical values
(2) Tj = 125 °C; maximum values
(3) Tj = 25 °C; maximum values
Fig 10. On-state current as a function of on-state
voltage
BT136-600
Product data sheet
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