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BT136B-800 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BT136B-800은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BT136B-800 자료 제공

부품번호 BT136B-800 기능
기능 Triacs
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BT136B-800 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BT136B-800 데이터시트, 핀배열, 회로
Philips Semiconductors
Triacs
Product specification
BT136B series
GENERAL DESCRIPTION
Glass passivated triacs in a plastic
envelope suitable for surface
mounting, intended for use in
applications
requiring
high
bidirectional transient and blocking
voltage capability and high thermal
cycling performance. Typical
applications include motor control,
industrial and domestic lighting,
heating and static switching.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER
MAX. MAX. MAX. UNIT
VDRM
IT(RMS)
ITSM
BT136B-
BT136B-
BT136B-
Repetitive peak off-state
voltages
RMS on-state current
Non-repetitive peak on-state
current
500 600 800
500F 600F 800F
500G 600G 800G
500 600 800
444
25 25 25
V
A
A
PINNING - SOT404
PIN DESCRIPTION
1 main terminal 1
2 main terminal 2
3 gate
mb main terminal 2
PIN CONFIGURATION
mb
2
13
SYMBOL
T2
T1
G
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
VDRM
IT(RMS)
ITSM
I2t
dIT/dt
IGM
VGM
PGM
PG(AV)
Tstg
Tj
Repetitive peak off-state
voltages
RMS on-state current
Non-repetitive peak
on-state current
I2t for fusing
Repetitive rate of rise of
on-state current after
triggering
Peak gate current
Peak gate voltage
Peak gate power
Average gate power
Storage temperature
Operating junction
temperature
full sine wave; Tmb 107 ˚C
full sine wave; Tj = 25 ˚C prior to
surge
t = 20 ms
t = 16.7 ms
t = 10 ms
ITM = 6 A; IG = 0.2 A;
dIG/dt = 0.2 A/µs
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
over any 20 ms period
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-500
5001
MAX.
-600
6001
4
25
27
3.1
50
50
50
10
2
5
5
0.5
150
125
-800
800
UNIT
V
A
A
A
A2s
A/µs
A/µs
A/µs
A/µs
A
V
W
W
˚C
˚C
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 3 A/µs.
October 1997
1
Rev 1.100




BT136B-800 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Triacs
Product specification
BT136B series
IGT(Tj)
3 IGT(25 C)
2.5
2
BT136
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
1.5
1
0.5
0
-50 0
50 100 150
Tj / C
Fig.7. Normalised gate trigger current
IGT(Tj)/ IGT(25˚C), versus junction temperature Tj.
IL(Tj)
IL(25 C)
3
TRIAC
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-50
Fig.8.
0 50 100 150
Tj / C
Normalised latching current IL(Tj)/ IL(25˚C),
versus junction temperature Tj.
IH(Tj)
3 IH(25C)
TRIAC
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-50 0 50 100 150
Tj / C
Fig.9. Normalised holding current IH(Tj)/ IH(25˚C),
versus junction temperature Tj.
12 IT / A
Tj = 125 C
Tj = 25 C
10
Vo = 1.27 V
Rs = 0.091 ohms
8
BT136
typ
max
6
4
2
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
VT / V
Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.
10 Zth j-mb (K/W)
1
BT136
unidirectional
bidirectional
0.1
P
D
tp
t
0.01
10us 0.1ms 1ms
10ms
0.1s
1s
10s
tp / s
Fig.11. Transient thermal impedance Zth j-mb, versus
pulse width tp.
1000 dVcom/dt (V/us)
100
off-state dV/dt limit
BT136...G SERIES
BT136 SERIES
BT136...F SERIES
10
dIcom/dt = 5.1 3.9 3 2.3 1.8 1.4
A/ms
1
0 50 100
Tj / C
150
Fig.12. Typical commutation dV/dt versus junction
temperature, parameter commutation dIT/dt. The triac
should commutate when the dV/dt is below the value
on the appropriate curve for pre-commutation dIT/dt.
October 1997
4
Rev 1.100

4페이지












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