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BT139X-600E 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BT139X-600E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BT139X-600E 자료 제공

부품번호 BT139X-600E 기능
기능 4Q Triac
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BT139X-600E 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BT139X-600E 데이터시트, 핀배열, 회로
BT139-600E
4Q Triac
27 September 2013
Product data sheet
1. General description
Planar passivated sensitive gate four quadrant triac in a SOT78 (TO-220AB) plastic
package intended for use in applications requiring high bidirectional transient and
blocking voltage capability and high thermal cycling performance. Typical applications
include motor control, industrial and domestic lighting, heating and static switching. This
sensitive gate "series E" triac is intended to be interfaced directly to microcontrollers,
logic integrated circuits and other low power gate trigger circuits.
2. Features and benefits
Direct triggering from low power drivers and logic ICs
High blocking voltage capability
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability
Sensitive gate
Triggering in all four quadrants
3. Applications
General purpose motor control
General purpose switching
4. Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
VDRM
repetitive peak off-
state voltage
ITSM non-repetitive peak on- full sine wave; Tj(init) = 25 °C;
state current
tp = 20 ms; Fig. 4; Fig. 5
IT(RMS)
RMS on-state current full sine wave; Tmb ≤ 99 °C; Fig. 1;
Fig. 2; Fig. 3
Static characteristics
IGT
gate trigger current
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;
Tj = 25 °C; Fig. 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;
Tj = 25 °C; Fig. 7
Min Typ Max Unit
- - 600 V
- - 155 A
- - 16 A
-
2.5 10
mA
- 4 10 mA
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BT139X-600E pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BT139-600E
4Q Triac
50
IT(RMS)
(A)
40
30
20
10
001aab090
20
IT(RMS)
(A)
15
10
5
001aab091
(1)
0
10- 2
10- 1
1 10
surge duration (s)
f = 50 Hz; Tmb = 99 °C
Fig. 1. RMS on-state current as a function of surge
duration; maximum values
25
Ptot
(W)
20
15
10
5
0
- 50 0
(1) Tmb = 99 °C
50
100 150
Tmb (°C)
Fig. 2. RMS on-state current as a function of mounting
base temperature; maximum values
001aab093 95
α = Tmb(max)
180 (°C)
120 101
90
60 107
30
113
α
α 119
0
05
α = conduction angle
a = form factor = IT(RMS) / IT(AV)
10
15
IT(RMS) (A)
Fig. 3. Total power dissipation as a function of RMS on-state current; maximum values.
125
20
BT139-600E
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
27 September 2013
© NXP N.V. 2013. All rights reserved
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BT139X-600E 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
9. Characteristics
Table 6. Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Static characteristics
IGT
gate trigger current
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;
Tj = 25 °C; Fig. 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;
Tj = 25 °C; Fig. 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G-;
Tj = 25 °C; Fig. 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G+;
Tj = 25 °C; Fig. 7
IL
latching current
VD = 12 V; IG = 0.1 A; T2+ G+;
Tj = 25 °C; Fig. 8
VD = 12 V; IG = 0.1 A; T2+ G-;
Tj = 25 °C; Fig. 8
VD = 12 V; IG = 0.1 A; T2- G-;
Tj = 25 °C; Fig. 8
VD = 12 V; IG = 0.1 A; T2- G+;
Tj = 25 °C; Fig. 8
IH
holding current
VD = 12 V; Tj = 25 °C; Fig. 9
VT
on-state voltage
IT = 20 A; Tj = 25 °C; Fig. 10
VGT
gate trigger voltage
VD = 12 V; IT = 0.1 A; Tj = 25 °C;
Fig. 11
VD = 400 V; IT = 0.1 A; Tj = 125 °C;
Fig. 11
ID
off-state current
VD = 600 V; Tj = 125 °C
Dynamic characteristics
dVD/dt
rate of rise of off-state
voltage
VDM = 402 V; Tj = 125 °C; (VDM = 67%
of VDRM); exponential waveform; gate
open circuit
tgt gate-controlled turn-on ITM = 20 A; VD = 600 V; IG = 0.1 A; dIG/
time dt = 5 A/µs
BT139-600E
4Q Triac
Min Typ Max Unit
-
2.5 10
mA
- 4 10 mA
- 5 10 mA
- 11 25 mA
-
3.2 30
mA
- 16 40 mA
- 4 30 mA
-
5.5 40
mA
- 4 45 mA
- 1.2 1.6 V
-
0.7 1
V
0.25 0.4 -
V
- 0.1 0.5 mA
- 50 - V/µs
- 2 - µs
BT139-600E
Product data sheet
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27 September 2013
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