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BR2500W 데이터시트 PDF




EIC discrete Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BR2500W은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BR2500W 자료 제공

부품번호 BR2500W 기능
기능 SILICON BRIDGE RECTIFIERS
제조업체 EIC discrete Semiconductors
로고 EIC discrete Semiconductors 로고


BR2500W 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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BR2500W 데이터시트, 핀배열, 회로
BR2500W - BR2510W SILICON BRIDGE RECTIFIERS
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 25 Amperes
FEATURES :
* High current capability
* High surge current capability
* High reliability
* Low reverse current
* Low forward voltage drop
* High case dielectric strength
MECHANICAL DATA :
* Case : Molded plastic with heatsink integrally
mounted in the bridge encapsulation
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Terminals : Plated lead solderable per
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
* Polarity : Polarity symbols marked on case
* Mounting position : Bolt down on heat-sink
with silicone thermal compound between
bridge and mounting surface for maximum
heat transfer efficiency
* Weight : 15.95 grams
BR50W
0.732 (18.6)
0.692 (17.5)
1.130 (28.7)
1.120 (28.4)
0.470 (11.9)
0.430 (10.9)
0.21 (5.3)
0.20 (5.1)
0.042 (1.06)
0.038 (0.96)
0.310 (7.87)
0.280(7.11)
1.2 (30.5)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
RATING
SYMBOL BR BR BR BR BR BR BR UNIT
2500W 2501W 2502W 2504W 2506W 2508W 2510W
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
VRRM
50 100 200 400 600 800 1000 Volts
Maximum RMS Voltage
VRMS 35 70 140 280 420 560 700 Volts
Maximum DC Blocking Voltage
VDC 50 100 200 400 600 800 1000 Volts
Maximum Average Forward Current Tc = 55°C
IF(AV)
25 Amp.
Peak Forward Surge Current Single half sine wave
Superimposed on rated load (JEDEC Method)
Current Squared Time at t < 8.3 ms.
IFSM
I2t
300 Amp.
375 A2S
Maximum Forward Voltage per Diode at 12.5 Amp.
VF
1.1 Volts
Maximum DC Reverse Current
Ta = 25 °C
IR
10 µA
at Rated DC Blocking Voltage
Ta = 100 °C
Typical Thermal Resistance at Junction to Case ( Note 1 )
Typical Thermal Resistance at Junction to Ambient
IR(H)
RθJC
RθJA
1.0 mA
2 °C/W
22 °C/W
Operating Junction Temperature Range
TJ
- 40 to + 150
°C
Storage Temperature Range
TSTG
- 40 to + 150
°C
Notes : 1 ) Thermal resistance from Junction to Case with units mounted on a 5" x 4" x 3" ( 12.7 x 10.2 x 7.3 cm ) Al.-wing plate.
UPDATE : APRIL 21, 1998





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