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BRY62 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BRY62
기능 Silicon controlled switch
제조업체 NXP
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BRY62 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D071
BRY62
Silicon controlled switch
Product specification
Supersedes data of 1997 Jul 21
1999 Apr 22




BRY62 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Silicon controlled switch
SYMBOL
PARAMETER
Switching times
ton turn-on time
toff turn-off time
Product specification
BRY62
CONDITIONS
MIN. MAX. UNIT
VKG-K = 0.5 to 4.5 V; RKG-K = 1 k;
see Figs 6 and 7
VKG-K = 0.5 to 0.5 V; RKG-K = 10 k
RKG-K = 10 k; see Figs 8 and 9
0.25 µs
1.5 µs
15 µs
a (anode)
(e2 )
PNP transistor
ag (anode gate)
(c1,b 2)
kg (cathode gate)
(b1,c 2)
NPN transistor
k (cathode)
(e1 )
MBB680
handbook, halfpage
b 1,c 2
e2
P
N N c 1,b 2
PP
N
MBB681
e1
Fig.2 Two transistor equivalent circuit.
Fig.3 PNPN silicon controlled switch structure.
1999 Apr 22
4

4페이지










BRY62 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Silicon controlled switch
Product specification
BRY62
1.2
handbook, halfpage
VAK
X
1
MBB581
0.8
0.6
50
0
50 100 150
Tamb ( o C)
X is the value of VAK at IC = 10 mA; IAG = 10 mA; IA = 1 mA;
VBB = 2 V; RKG-K = 10 kΩ; Tamb = 25 °C.
Fig.12 Normalized anode-cathode voltage as a
function of ambient temperature.
handbook1, .h2alfpage
IH
X
1.1
MBB587
1
0.9
0.8
50
0
50 100 150
Tamb (oC)
X is the value of IH at IC = 10 mA; IAG = 10 mA; VBB = 2 V;
Rkg-K = 10 kΩ; Tamb = 25 °C.
Fig.13 Normalized holding current as a function of
ambient temperature.
handboo3k,0h0alfpage
P tot
(mW)
200
MBB580
100
0
0 50 150 150
Tamb ( o C)
Fig.14 Power derating curve.
1999 Apr 22
7

7페이지



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