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부품번호 | BFR93A 기능 |
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기능 | NPN 6 GHz wideband transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
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전체 13 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BFR93A
NPN 6 GHz wideband transistor
Product specification
Supersedes data of September 1995
1997 Oct 29
NXP Semiconductors
NPN 6 GHz wideband transistor
Product specification
BFR93A
handbook, full pagewidth
VBB
75 Ω
input
1.5 nF
10 kΩ
L1
1 nF
L2
270 Ω
L3
1 nF
1.5 nF
VCC
1 nF
75 Ω
output
DUT
3.3 pF
18 Ω 0.68 pF
MBB251
L1 = L3 = 5 H choke.
L2 = 3 turns 0.4 mm copper wire; winding pitch 1 mm; internal diameter 3 mm.
Fig.2 Intermodulation distortion and second harmonic distortion MATV test circuit.
handboo4k,0h0alfpage
Ptot
(mW)
300
MBG246
200
100
0
0 50 100 150 200
Ts (o C)
Fig.3 Power derating curve.
1997 Oct 29
handbook1,2h0alfpage
h FE
80
MCD087
40
0
0 10 20 IC (mA) 30
VCE = 5 V; Tj = 25 C.
Fig.4 DC current gain as a function of
collector current.
4
4페이지 NXP Semiconductors
NPN 6 GHz wideband transistor
Product specification
BFR93A
4
handbook, halfpage
F
(dB)
3
2
MCD094
f = 2 GHz
1 GHz
500 MHz
1
0
1
10
I C (mA)
10 2
VCE = 8 V.
Fig.13 Minimum noise figure as a function of
collector current; typical values.
4
handbook, halfpage
F
(dB)
3
MCD095
2
IC = 30 mA
10 mA
1
5 mA
0
10 2
10 3
f (MHz)
10 4
VCE = 8 V.
Fig.14 Minimum noise figure as a function of
frequency; typical values.
handbook,4h0alfpage
d im
(dB)
45
MBB263
handbook,3h0alfpage
d2
(dB)
35
MBB264
50 40
55 45
60
65
0 10 20 30 40
I C (mA)
VCE = 8 V; VO = 425 mV (52.6 dBmV);
fp + fqfr = 793.25 MHz; Tamb = 25 C.
Measured in MATV test circuit (see Fig.2)
Fig.15 Intermodulation distortion; typical values.
50
55
0 10 20
VCE = 8 V; VO = 200 mV (46 dBmV);
fp + fqfr = 810 MHz; Tamb = 25 C.
Measured in MATV test circuit (see Fig.2)
30 40
I C (mA)
Fig.16 Second order intermodulation distortion;
typical values.
1997 Oct 29
7
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BFR93 | NPN 5 GHz wideband transistor | NXP Semiconductors |
BFR93 | Silicon NPN Planar RF Transistor | Vishay Telefunken |
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