|
|
|
부품번호 | BLF175 기능 |
|
|
기능 | HF/VHF power MOS transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 18 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BLF175
HF/VHF power MOS transistor
Product specification
September 1992
Philips Semiconductors
HF/VHF power MOS transistor
Product specification
BLF175
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
∆VGS
gfs
RDS(on)
IDSX
Cis
Cos
Crs
drain-source breakdown voltage
drain-source leakage current
gate-source leakage current
gate-source threshold voltage
gate-source voltage difference of
matched pairs
forward transconductance
drain-source on-state resistance
on-state drain current
input capacitance
output capacitance
feedback capacitance
CONDITIONS
ID = 10 mA; VGS = 0
VGS = 0; VDS = 50 V
±VGS = 20 V; VDS = 0
ID = 10 mA; VDS = 10 V
ID = 10 mA; VDS = 10 V
ID = 1 A; VDS = 10 V
ID = 1 A; VGS = 10 V
VGS = 10 V; VDS = 10 V
VGS = 0; VDS = 50 V; f = 1 MHz
VGS = 0; VDS = 50 V; f = 1 MHz
VGS = 0; VDS = 50 V; f = 1 MHz
MIN. TYP. MAX. UNIT
110 −
−−
−−
2−
−−
−V
100 µA
1 µA
4.5 V
100 mV
1.1 1.6 −
S
− 0.75 1.5 Ω
− 5.5 −
A
− 130 −
pF
− 36 −
pF
− 3.7 −
pF
handbook, h0alfpage
T.C.
(mV/K)
−1
−2
−3
−4
−5
10−2
MGP064
10−1
ID (A)
1
handbook, h6alfpage
ID
(A)
4
2
0
0
MGP065
5 10
VGS (V)
VDS = 10 V.
Fig.4 Temperature coefficient of gate-source
voltage as a function of drain current, typical
values.
VDS = 10 V; Tj = 25 °C.
Fig.5 Drain current as a function of gate-source
voltage, typical values.
September 1992
4
4페이지 Philips Semiconductors
HF/VHF power MOS transistor
Product specification
BLF175
handbook,4h0alfpage
Gp
(dB)
30
MGP071
20
10
0
0 10 20 30 40
f (MHz)
Class-A operation; VDS = 50 V; IDQ = 0.8 A;
PL = 8 W (PEP); RGS = 24 Ω; f1 − f2 = 1 MHz.
Fig.11 Power gain as a function of frequency,
typical values.
handbook−,2h0alfpage
d3
(dB)
−40
MGP072
−60
0
10 20 30 40
f (MHz)
Class-A operation; VDS = 50 V; IDQ = 0.8 A;
PL = 8 W (PEP); RGS = 24 Ω; f1 − f2 = 1 MHz.
Fig.12 Third order intermodulation distortion as a
function of frequency, typical values.
handbook, full pagewidth
50 Ω
input
f = 28 MHz.
September 1992
T1
C1
R2 C4
D.U.T.
C2
C5 L4
L2
R1
C6
L1
C3
+VG
C7 R3
L3
C8
+VD
MGP073
C9
50 Ω
output
Fig.13 Test circuit for class-A operation.
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 18 페이지수 | ||
다운로드 | [ BLF175.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BLF174XR | Power LDMOS transistor | NXP Semiconductors |
BLF174XRS | Power LDMOS transistor | NXP Semiconductors |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |