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BLF175 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BLF175은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BLF175 자료 제공

부품번호 BLF175 기능
기능 HF/VHF power MOS transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BLF175 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BLF175 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BLF175
HF/VHF power MOS transistor
Product specification
September 1992




BLF175 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
HF/VHF power MOS transistor
Product specification
BLF175
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
VGS
gfs
RDS(on)
IDSX
Cis
Cos
Crs
drain-source breakdown voltage
drain-source leakage current
gate-source leakage current
gate-source threshold voltage
gate-source voltage difference of
matched pairs
forward transconductance
drain-source on-state resistance
on-state drain current
input capacitance
output capacitance
feedback capacitance
CONDITIONS
ID = 10 mA; VGS = 0
VGS = 0; VDS = 50 V
±VGS = 20 V; VDS = 0
ID = 10 mA; VDS = 10 V
ID = 10 mA; VDS = 10 V
ID = 1 A; VDS = 10 V
ID = 1 A; VGS = 10 V
VGS = 10 V; VDS = 10 V
VGS = 0; VDS = 50 V; f = 1 MHz
VGS = 0; VDS = 50 V; f = 1 MHz
VGS = 0; VDS = 50 V; f = 1 MHz
MIN. TYP. MAX. UNIT
110
−−
−−
2
−−
V
100 µA
1 µA
4.5 V
100 mV
1.1 1.6
S
0.75 1.5
5.5
A
130
pF
36
pF
3.7
pF
handbook, h0alfpage
T.C.
(mV/K)
1
2
3
4
5
102
MGP064
101
ID (A)
1
handbook, h6alfpage
ID
(A)
4
2
0
0
MGP065
5 10
VGS (V)
VDS = 10 V.
Fig.4 Temperature coefficient of gate-source
voltage as a function of drain current, typical
values.
VDS = 10 V; Tj = 25 °C.
Fig.5 Drain current as a function of gate-source
voltage, typical values.
September 1992
4

4페이지










BLF175 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
HF/VHF power MOS transistor
Product specification
BLF175
handbook,4h0alfpage
Gp
(dB)
30
MGP071
20
10
0
0 10 20 30 40
f (MHz)
Class-A operation; VDS = 50 V; IDQ = 0.8 A;
PL = 8 W (PEP); RGS = 24 ; f1 f2 = 1 MHz.
Fig.11 Power gain as a function of frequency,
typical values.
handbook,2h0alfpage
d3
(dB)
40
MGP072
60
0
10 20 30 40
f (MHz)
Class-A operation; VDS = 50 V; IDQ = 0.8 A;
PL = 8 W (PEP); RGS = 24 ; f1 f2 = 1 MHz.
Fig.12 Third order intermodulation distortion as a
function of frequency, typical values.
handbook, full pagewidth
50
input
f = 28 MHz.
September 1992
T1
C1
R2 C4
D.U.T.
C2
C5 L4
L2
R1
C6
L1
C3
+VG
C7 R3
L3
C8
+VD
MGP073
C9
50
output
Fig.13 Test circuit for class-A operation.
7

7페이지


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