|
|
|
부품번호 | BLF248 기능 |
|
|
기능 | VHF push-pull power MOS transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 13 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BLF248
VHF push-pull power MOS
transistor
Product specification
September 1992
Philips Semiconductors
VHF push-pull power MOS transistor
Product specification
BLF248
CHARACTERISTICS (per section)
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
∆VGS
gfs
gfs1/gfs2
RDS(on)
IDSX
Cis
Cos
Crs
drain-source breakdown voltage
drain-source leakage current
gate-source leakage current
gate-source threshold voltage
gate-source voltage difference
of both transistor sections
forward transconductance
forward transconductance ratio
of both transistor sections
drain-source on-state resistance
on-state drain current
input capacitance
output capacitance
feedback capacitance
CONDITIONS
VGS = 0; ID = 100 mA
VGS = 0; VDS = 28 V
±VGS = 20 V; VDS = 0
ID = 100 mA; VDS = 10 V
ID = 100 mA; VDS = 10 V
ID = 8 A; VDS = 10 V
ID = 8 A; VDS = 10 V
ID = 8 A; VGS = 10 V
VGS = 10 V; VDS = 10 V
VGS = 0; VDS = 28 V; f = 1 MHz
VGS = 0; VDS = 28 V; f = 1 MHz
VGS = 0; VDS = 28 V; f = 1 MHz
MIN. TYP. MAX. UNIT
65 −
−−
−−
2−
−−
−V
5 mA
1 µA
4.5 V
100 mV
5 7.5 −
0.9 −
1.1
S
− 0.1 0.15 Ω
− 37 −
A
− 500 −
pF
− 360 −
pF
− 46 −
pF
0
handbook, halfpage
T.C.
(mV/K)
−1
MGP204
−2
−3
−4
−5
10−1
VDS = 10 V.
1 10
ID (A)
Fig.4 Temperature coefficient of gate-source
voltage as a function of drain current, typical
values per section.
60
handbook, halfpage
ID
(A)
40
MGP205
20
0
0 5 10 15 20
VGS (V)
VDS = 10 V; Tj = 25 °C.
Fig.5 Drain current as a function of gate-source
voltage, typical values per section.
September 1992
4
4페이지 This text is here in white to force landscape pages to be rotated correctly when browsing through the pdf in the Acrobat reader.This text is here in
_white to force landscape pages to be rotated correctly when browsing through the pdf in the Acrobat reader.This text is here inThis text is here in
white to force landscape pages to be rotated correctly when browsing through the pdf in the Acrobat reader. white to force landscape pages to be ...
A
L1 C1 L4
R1
C8
VDD1
C16
C12
C17
R2
C9
C6
R3
L6 L8
D.U.T.
R7 L12
C18
C13
L13
L10 L16
C25
L18
L20 C29
L22
50 Ω
input
L2
L3
C3
C2
L5
C4 C5
L7 L9
R4
C7
C10
C22
C23 C24
C27 C28
L11 L17
L14
C14
C19
L19
C26
C30
L21
VDD1
R9
C34
f = 225 MHz.
A
IC1
R5
C11
C33
R6
C32 C31
R8 L15
C20
C15
C21
VDD2
MGP211
Fig.11 Test circuit for class-AB operation.
L23
L24
50 Ω
output
7페이지 | |||
구 성 | 총 13 페이지수 | ||
다운로드 | [ BLF248.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BLF242 | HF/VHF power MOS transistor | NXP Semiconductors |
BLF242 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 1A 4-Pin SOT-123A | New Jersey Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |