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부품번호 | BLF277 기능 |
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기능 | VHF power MOS transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BLF277
VHF power MOS transistor
Product specification
September 1992
Philips Semiconductors
VHF power MOS transistor
Product specification
BLF277
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
∆VGS
gfs
RDS(on)
IDSX
Cis
Cos
Crs
drain-source breakdown voltage
drain-source leakage current
gate-source leakage current
gate-source threshold voltage
gate-source voltage difference of
matched pairs
forward transconductance
drain-source on-state resistance
on-state drain current
input capacitance
output capacitance
feedback capacitance
CONDITIONS
VGS = 0; ID = 50 mA
VGS = 0; VDS = 50 V
±VGS = 20 V; VDS = 0
ID = 50 mA; VDS = 10 V
ID = 50 mA; VDS = 10 V
ID = 5 A; VDS = 10 V
ID = 5 A; VGS = 10 V
VGS = 10 V; VDS = 10 V
VGS = 0; VDS = 50 V; f = 1 MHz
VGS = 0; VDS = 50 V; f = 1 MHz
VGS = 0; VDS = 50 V; f = 1 MHz
MIN. TYP. MAX. UNIT
110 −
−−
−−
2−
−−
−V
2.5 mA
1 µA
4.5 V
100 mV
4.5 6.2 −
− 0.2 0.3
− 25 −
− 480 −
− 190 −
− 14 −
S
Ω
A
pF
pF
pF
0
handbook, halfpage
T.C.
(mV/K)
−1
−2
MGP220
−3
−4
−5
10−2
VDS = 10 V.
10−1
1 10
ID (A)
Fig.4 Temperature coefficient of gate-source
voltage as a function of drain current, typical
values.
30
handbook, halfpage
ID
(A)
20
MGP221
10
0
05
VDS = 10 V; Tj = 25 °C.
10 VGS (V) 15
Fig.5 Drain current as a function of gate-source
voltage, typical values.
September 1992
4
4페이지 Philips Semiconductors
VHF power MOS transistor
Product specification
BLF277
handbook, full pagewidth
input
,,,,,,50Ω
C1
C3
L4
C5
L7
D.U.T.
C14
L13
L10 L12
L14
C18
L18
output
C19 50Ω
L15
L17 L18
L19
L1 L2 L3
L5 L6
L8 L9
L11 C15
C17
C18
C2 C4 C8
R1
C9
MLA222
R4 C10
C7
C8
R2
L20
C11
C12
R3
C13
f = 175 MHz.
+ VDD
Fig.11 Test circuit for class-B operation.
September 1992
7
7페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BLF276 | VHF power MOS transistor | NXP Semiconductors |
BLF277 | VHF power MOS transistor | NXP Semiconductors |
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