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부품번호 | BLT92 기능 |
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기능 | UHF power transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BLT92/SL
UHF power transistor
Product specification
May 1989
Philips Semiconductors
UHF power transistor
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified
Collector-base breakdown voltage
open emitter; IC = 10 mA
Collector-emitter breakdown voltage
open base; IC = 20 mA
Emitter-base breakdown voltage
open collector; IE = 2 mA
Collector cut-off current
VBE = 0; VCE = 10 V
Second breakdown energy
L = 25 mH; f = 50 Hz; RBE = 10 Ω
DC current gain
IC = 600 mA; VCE = 5 V
Collector capacitance at f = 1 MHz
IE = ie = 0; VCB = 7.5 V
Feedback capacitance at f = 1 MHz
IC = 0; VCE = 7.5 V
Collector-mounting base capacitance
24
handbook, halfpage
Cc
(pF)
16
Product specification
BLT92/SL
V(BR)CBO >
V(BR)CEO >
V(BR)EBO >
ICES
<
ESBR
>
hFE >
Cc typ.
Cre
Cc-mb
typ.
typ.
20 V
10 V
3.0 V
5.0 mA
1.0 mJ
25
11 pF
6.0 pF
1.2 pF
MDA298
8
0
0 2 4 6 8 10
VCB (V)
Fig.3 Collector capacitance as a function of collector-base voltage; f = 1 MHz; IE = ie = 0; typical values.
May 1989
4
4페이지 Philips Semiconductors
UHF power transistor
Product specification
BLT92/SL
handbook, h5alfpage
PL
(W)
4
MDA301
3
2
1
0
0 0.4 0.8 1.2
PS (W)
f = 900 MHz; Tmb = 25 °C; class-B operation; typical values.
VCE = 7.5 V
− − − VCE = 5.0 V
Fig.6 Load power as a function of source power.
handbook,1h0alfpage
Gp
(dB)
Gp
8
Gp
6
4
MDA302
100
ηC
(%)
80
ηC
60
ηC
40
2 20
00
01 234 5
PL (W)
f = 900 MHz; Tmb = 25 °C; class-B operation; typical values.
VCE = 7.5 V
− − − VCE = 5.0 V
Fig.7 Power gain and efficiency as a function of
load power.
RUGGEDNESS
The device is capable of withstanding a full load mismatch
(VSWR = 50; all phases) at rated load power up to a
supply voltage of 9.0 V at Tmb = 25 °C.
May 1989
7
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BLT92 | UHF power transistor | NXP Semiconductors |
BLT94 | UHF power transistor | NXP Semiconductors |
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