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BLV10 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BLV10은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BLV10 자료 제공

부품번호 BLV10 기능
기능 VHF power transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BLV10 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BLV10 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BLV10
VHF power transistor
Product specification
August 1986




BLV10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
VHF power transistor
THERMAL RESISTANCE
(dissipation = 8 W; Tmb = 72,4 °C, i.e. Th = 70 °C)
From junction to mounting base (d.c. dissipation)
From junction to mounting base (r.f. dissipation)
From mounting base to heatsink
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C
Collector-emitter breakdown voltage
VBE = 0; IC = 5 mA
Collector-emitter breakdown voltage
open base; IC = 25 mA
Emitter-base breakdown voltage
open collector; IE = 1 mA
Collector cut-off current
VBE = 0; VCE = 18 V
Second breakdown energy; L = 25 mH; f = 50 Hz
open base
RBE = 10
D.C. current gain(1)
IC = 0,75 A; VCE = 5 V
Collector-emitter saturation voltage(1)
IC = 2 A; IB = 0,4 A
Transition frequency at f = 100 MHz(1)
IE = 0,75 A; VCB = 13,5 V
IE = 2 A; VCB = 13,5 V
Collector capacitance at f = 1 MHz
IE = Ie = 0; VCB = 13,5 V
Feedback capacitance at f = 1 MHz
IC = 100 mA; VCE = 13,5 V
Collector-flange capacitance
Note
1. Measured under pulse conditions: tp 200 µs; δ ≤ 0,02.
Product specification
BLV10
Rth j-mb(dc)
Rth j-mb(rf)
Rth mb-h
=
=
=
10,7 K/W
8,6 K/W
0,3 K/W
V(BR) CES
V(BR) CEO
V(BR)EBO
ICES
ESBO
ESBR
hFE
VCEsat
fT
fT
Cc
Cre
Ccf
> 36 V
> 18 V
> 4V
< 2 mA
> 0,5 mJ
> 0,5 mJ
typ. 40
10 to 100
typ. 0,85 V
typ. 950 MHz
typ. 850 MHz
typ. 16,5 pF
typ. 12 pF
typ. 2 pF
August 1986
4

4페이지










BLV10 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
VHF power transistor
handbook, full pagewidth
150
Product specification
BLV10
72
L6
C4
C5
+VCC
R1
L3
C1 C2 L1
L5
L4
L7
L2 C3
C6
C7
rivet
MGP254
Fig.8 Component layout and printed-circuit board for 175 MHz test circuit.
The circuit and the components are situated on one side of the epoxy fibre-glass board, the other side being fully
metallized to serve as earth. Earth connections are made by means of hollow rivets, whilst under the emitter leads Cu
straps are used for a direct contact between upper and lower sheets.
August 1986
7

7페이지


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