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BLV897 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BLV897은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BLV897 자료 제공

부품번호 BLV897 기능
기능 UHF push-pull power transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BLV897 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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BLV897 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BLV897
UHF push-pull power transistor
Preliminary specification
Supersedes data of 1997 Oct 03
1997 Nov 10




BLV897 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
UHF push-pull power transistor
Preliminary specification
BLV897
APPLICATION INFORMATION
RF performance at Th = 25 °C in a common emitter push-pull class-AB test circuit.
MODE OF
f
VCE
ICQ
PL
Gp
OPERATION
(MHz)
(V)
(mA)
(W)
(dB)
CW, class-AB
2-tone, class-AB
900
900
24 2 × 80 30
10
24
2 × 80
30 (PEP)
11
ηC d3
(%) (dBc)
45
35 <32; typ. 37
Ruggedness in class-AB operation
The BLV897 is capable of withstanding a load mismatch corresponding to VSWR = 5 : 1 through all phases under the
conditions: VCE = 24 V; ICQ = 2 × 80 mA; f = 900 MHz; Th = 25 °C; PL = 30 W. The transistor is also capable of
withstanding a load mismatch corresponding to VSWR = 10 : 1 through all phases at PL = 30 W (PEP).
50
handbook, halfpage
PL
(W)
40
MBK287
30
20
10
0
0 1 23456
PD (W)
VCE = 24 V; ICQ = 2 × 80 mA; f = 900 MHz.
Fig.2 Load power as a function of drive power;
typical values.
14
handbGoopk, halfpage
(dB)
12
10
8
6
4
2
0
0 10
Gp
ηC
20 30
MBK286
70
ηC
(%)
60
50
40
30
20
10
0
40 50
PL (W)
VCE = 24 V; ICQ = 2 × 80 mA; f = 900 MHz.
Fig.3 Power gain and collector efficiency as
functions of load power; typical values.
1997 Nov 10
4

4페이지










BLV897 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
UHF push-pull power transistor
handbook, full pagewidth
58
80
Preliminary specification
BLV897
60.5
80
C12
C10 C14
+VBB
C6
R3
C8
L12
R1
L1
L2
C1
L4
L5
C2
C16 C18 C22
L14
C20
L16
L10
L20
L8
L18
L22
R6
C24
+VCC
L6
C4
C3
C26
C27 C28
L24
C25
L25
L26
L27
C29
L28
L3
R4
+VBB
C5
R2
L13
C7
L7
L9
L21
L11
L23
L19
R5
L15
L17
C19
C15 C17 C21
L29
L30
+VCC
C23
C9 C13
C11
MGM147
Dimensions in mm.
The components are located on one side of the copper-clad PTFE microfibre-glass board, the other side is unetched and serves as a ground plane.
Earth connections from the component side to the ground plane are made by through metallization.
Fig.5 Printed-circuit board for the 900 MHz class-AB test circuit.
1997 Nov 10
7

7페이지


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