|
|
|
부품번호 | BLV935 기능 |
|
|
기능 | UHF power transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 12 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BLV935
UHF power transistor
Product specification
1995 Jun 29
Philips Semiconductors
UHF power transistor
Product specification
BLV935
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
V(BR)CBO collector-base breakdown
voltage
V(BR)CEO collector-emitter breakdown
voltage
V(BR)EBO emitter-base breakdown
voltage
ICES collector leakage current
hFE DC current gain
Cc collector capacitance
Cre feedback capacitance
CONDITIONS
open emitter; IC = 20 mA
MIN. TYP.
70 −
open base; IC = 50 mA
30 −
open collector; IE = 1 mA
3−
VBE = 0; VCE = 28 V
VCE = 10 V; IC = 1.5 A; note 1
VCB = 26 V; IE = ie = 0; f = 1 MHz;
note 2
VCE = 26 V; IC = 0; f = 1 MHz
−
30
−
−
−
−
25
17
Notes
1. Measured under pulsed conditions: tp ≤ 500 µs; δ ≤ 0.01.
2. CC value is that of the die only; it is not measurable because of internal matching network.
MAX.
−
−
−
2
120
−
−
UNIT
V
V
V
mA
pF
pF
handbook1, 0h0alfpage
h FE
80
60
40
(1)
(2)
MLC680
20
0
01 2 3 4 5 6
I C (A)
Measured under pulsed conditions; tp ≤ 500 µs; δ ≤ 0.01.
(1) VCE = 26 V.
(2) VCE = 10 V.
Fig.4 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
100
handbook, halfpage
Cc
(pF)
80
MLC681
60
40
20
0
0 10 20 30 40 50
VCB (V)
Cc value is that of the die only; it is not measurable because of
internal matching network.
f = 1 MHz.
Fig.5 Collector capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
1995 Jun 29
4
4페이지 Philips Semiconductors
UHF power transistor
Product specification
BLV935
COMPONENT
L10
L11, L12
R1, R2
DESCRIPTION
4 turns 1 mm enamelled
copper wire (close wound)
VALUE
65 nH
grade 3B Ferroxcube
wideband RF choke
metal film resistor
10 Ω; 0.4 W
DIMENSIONS
CATALOGUE No.
internal diameter: 4 mm
length: 4 mm
leads: 2 × 5 mm
4312 020 36642
2322 151 71009
Notes
1. American Technical Ceramics type 100B or capacitor of same quality.
2. The striplines are on double-clad PCB with PTFE fibre-glass dielectric (εr = 2.2); thickness 1⁄32".
1995 Jun 29
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 12 페이지수 | ||
다운로드 | [ BLV935.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BLV93 | UHF power transistor | NXP Semiconductors |
BLV934 | UHF power transistor | NXP Semiconductors |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |