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BLW34 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BLW34은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BLW34 자료 제공

부품번호 BLW34 기능
기능 UHF linear power transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BLW34 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BLW34 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BLW34
UHF linear power transistor
Product specification
August 1986




BLW34 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
UHF linear power transistor
Product specification
BLW34
10
handbook, full pagewidth
Rth j-h
(K/W)
8
6
4
0
MGP456
Th = 125 °C
75 °C
100 °C
100 °C
125 °C
150 °C
75 °C
50 °C
25 °C
175 °C
Tj
=
200
°C
0 °C
10 20 Ptot (W) 30
Fig.4 Maximum thermal resistance from junction to heatsink as a function of power dissipation, with heatsink
and junction temperature as parameters. (Rth mb-h = 0,6 K/W.)
Example
Nominal class-A operation: VCE = 25 V; IC = 600 mA; Th = 70 °C.
Fig.4 shows: Rth j-h
Tj
Typical device: Rth j-h
Tj
max. 6,75 K/W
max. 170 °C
typ. 5,45 K/W
typ. 152 °C
August 1986
4

4페이지










BLW34 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
UHF linear power transistor
Product specification
BLW34
APPLICATION INFORMATION
fvision (MHz)
860
860
860
VCE (V)
25
25
25
IC (mA)
600
600
600
Th (°C)
70
70
25
dim (dB) (1)
60
60
60
Po sync (W) (1)
> 1,8
typ. 1,9
typ. 2,15
Gp (dB)
>9
typ. 10,2
typ. 10,2
Note
1. Three-tone test method (vision carrier 8 dB, sound carrier 7 dB, sideband signal 16 dB), zero dB corresponds to
peak sync level.
handbook, full pagewidth
50
L1 C1 L2
C2 L3
T.U.T.
L6
C3 C4
L4
L5
C5 L7
C6
50
C7 C8 C9
C10 C11 C12 C13
+VBB
+VCC
Fig.8 Test circuit at fvision = 860 MHz.
MGP460
List of components:
C1 = C5 = 1,8 to 10 pF film dielectric trimmer (cat. no. 2222 809 05002)
C2 = C6 = 1 to 3,5 pF film dielectric trimmer (cat. no. 2222 809 05001) placed 13,5 mm and 46 mm
respectively from transistor edge
C3 = C4 = 2 pF multilayer ceramic chip capacitor (ATC 100A-2RO-C-PX-50)
C7 = C10 = 1 nF chip capacitor
C8 = 100 nF polyester capacitor
C9 = C12 = 470 nF polyester capacitor
C11 = 10 nF polyester capacitor
C13 = 3,3 µF/40 V solid aluminium electrolytic capacitor
L1 = stripline (9,2 mm × 7,0 mm)
L2 = stripline (14,2 mm × 7,0 mm)
L3 = micro choke 0,47 µH (cat. no. 4322 057 04770)
L4 = stripline (see Fig.9 printed-circuit board layout)
L5 = 34 mm straight Cu wire (1,0 mm); height above print 3,3 mm
L6 = stripline (41,0 mm × 7,0 mm)
L7 = stripline (8,7 mm × 7,0 mm)
L1; L2; L4; L6 and L7 are striplines on a double Cu-clad printed-circuit board with PTFE fibre-glass dielectric
(εr = 2,74); thickness 1/16".
Component layout and printed-circuit board for 860 MHz test circuit are shown in Fig.9. For bias circuit see Fig.10.
August 1986
7

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