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부품번호 | BLW78 기능 |
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기능 | HF/VHF power transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BLW78
HF/VHF power transistor
Product specification
August 1986
Philips Semiconductors
HF/VHF power transistor
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C
Collector-emitter breakdown voltage
VBE = 0; IC = 50 mA
Collector-emitter breakdown voltage
open base; IC = 100 mA
Emitter-base breakdown voltage
open collector; IE = 5 mA
Collector cut-off current
VBE = 0; VCE = 35 V
D.C. current gain(1)
IC = 5 A; VCE = 5 V
Collector-emitter saturation voltage
IC = 15 A; IB = 3 A
Transition frequency at f = 100 MHz(2)
−IE = 5 A; VCB = 28 V
−IE = 15 A; VCB = 28 V
Collector capacitance at f = 1 MHz
IE = Ie = 0; VCB = 28 V
Feedback capacitance at f = 1 MHz
IC = 100 mA; VCE = 28 V
Collector-flange capacitance
Notes
1. Measured under pulse conditions: tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0,02.
2. Measured under pulse conditions: tp ≤ 50 µs; δ ≤ 0,01.
Product specification
BLW78
V(BR)CES >
70 V
V(BR)CEO >
35 V
V(BR)EBO >
4V
ICES
< 5 mA
hFE 20 to 85
VCEsat
typ. 2 V
fT typ. 370 MHz
fT typ. 350 MHz
Cc typ. 155 pF
Cre typ. 102 pF
Ccf typ. 3 pF
August 1986
4
4페이지 Philips Semiconductors
HF/VHF power transistor
Product specification
BLW78
handbook, full pagewidth
C5
C2 L2
C1
input
50 Ω
L1
L3
C3
L4
C4
L5
aluminium heatsink
output
50 Ω
C8
C7
MGP549
Fig.8 Component layout on an aluminium heatsink for 150 MHz test circuit. ⊗ Earthing bolts.
August 1986
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 16 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BLW75 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
BLW76 | HF/VHF power transistor | NXP Semiconductors |
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