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부품번호 | BLW898 기능 |
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기능 | UHF linear power transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BLW898
UHF linear power transistor
Product specification
Supersedes data of 1995 Oct 04
1996 Jul 16
Philips Semiconductors
UHF linear power transistor
Product specification
BLW898
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
ICEO
hFE
Cc
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage
emitter-base breakdown voltage
collector-base leakage current
collector-emitter leakage current
DC current gain
collector capacitance
Cre feedback capacitance
CONDITIONS
MIN.
IC = 15 mA; IE = 0
IC = 30 mA; IB = 0
IE = 0.6 mA; IC = 0
VBE = 0; VCB = 28 V
VCE = 20 V
VCE = 25 V; IC = 1.1 A
VCB = 25 V; IE = ie = 0;
f = 1 MHz
60
28
2.5
−
−
30
−
VCB = 25 V; IC = 0; f = 1 MHz −
TYP.
−
−
−
−
−
−
18
11
MAX. UNIT
−V
−V
−V
1.5 mA
3 mA
140
− pF
− pF
handboo1k,6h0alfpage
hFE
120
MGD532
80
40
0
01 23
IC (A)
VCE = 25 V; tp = 500 µs; δ = <1 %.
Fig.3 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
handbook,6h0alfpage
Cc
(pF)
40
MGD533
20
0
0 10 20 30 40
VCB (V)
IE = ie = 0; f = 1 MHz.
Fig.4 Collector capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
1996 Jul 16
4
4페이지 Philips Semiconductors
UHF linear power transistor
Product specification
BLW898
handbook, full pagewidth
77
160
77
69
+VBB
+VCC
R2
C10
C12
L12
C5 C4
L6
C1 L1 L2 & L3
L11
L9 C7
R1
C9
L10
C11
C13
C2
L4 & L5
C3
C6
L7 & L8
C8
MGD539
Dimensions in mm.
Fig.10 Printed-circuit board and component lay-out for 860 MHz class-A test circuit.
1996 Jul 16
7
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BLW89 | Trans GP BJT NPN 36V 3A 4-Pin SOT-123A | New Jersey Semiconductor |
BLW898 | UHF linear power transistor | NXP Semiconductors |
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