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BLW90 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BLW90은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BLW90 자료 제공

부품번호 BLW90 기능
기능 UHF power transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BLW90 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BLW90 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BLW90
UHF power transistor
Product specification
August 1986




BLW90 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
UHF power transistor
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C
Collector-emitter breakdown voltage
VBE = 0; IC = 4 mA
Collector-emitter breakdown voltage
open base; IC = 20 mA
Emitter-base breakdown voltage
open collector; IE = 2 mA
Collector cut-off current
VBE = 0; VCE = 30 V
Second breakdown energy; L = 25 mH; f = 50 Hz
open base
RBE = 10
D.C. current gain (1)
IC = 0,3 A; VCE = 5 V
Collector-emitter saturation voltage (1)
IC = 1,0 A; IB = 0,2 A
Transition frequency at f = 500 MHz (1)
IE = 0,3 A; VCB = 28 V
IE = 1,0 A; VCB = 28 V
Collector capacitance at f = 1 MHz
IE = Ie = 0; VCB = 28 V
Feedback capacitance at f = 1 MHz
IC = 20 mA; VCE = 28 V
Collector-stud capacitance
Note
1. Measured under pulse conditions: tp 200 µs; δ ≤ 0,02.
Product specification
BLW90
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICES
ESBO
ESBR
hFE
VCEsat
fT
fT
Cc
Cre
Ccs
> 60 V
> 30 V
> 4V
< 2 mA
> 1 mJ
> 1 mJ
typ. 40
10 to 100
typ. 0,9 V
typ. 1,2 GHz
typ. 0,9 GHz
typ. 8,4 pF
typ. 3,6 pF
typ. 1,2 pF
August 1986
4

4페이지










BLW90 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
UHF power transistor
handbook, full pagewidth
94
strap
Product specification
BLW90
rivet
48
L3 L7
C3
R1
C4
+VCC
L2 L5 R2
C1 L6 C6
L1 L4
strap
C2 C5
MGP666
Fig.8 Component layout and printed-circuit board for 470 MHz test circuit.
The circuit and the components are situated on one side of the PTFE fibre-glass board, the other side being fully
metallized to serve as earth. Earth connections are made by means of hollow rivets, whilst under the emitter leads Cu
straps are used for a direct contact between upper and lower sheets.
August 1986
7

7페이지


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