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BLX39 데이터시트 PDF




Advanced Semiconductor에서 제조한 전자 부품 BLX39은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BLX39 자료 제공

부품번호 BLX39 기능
기능 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Advanced Semiconductor
로고 Advanced Semiconductor 로고


BLX39 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BLX39 데이터시트, 핀배열, 회로
BLX39
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI BLX39 is Designed for
broadband amplifier operations up to
175 MHz.
FEATURES:
PG = 7.6 dB min. at 40 W/175 MHz
Emitter Resistors Ballasted
Omnigold™ Metalization System
MAXIMUM RATINGS
IC 5.0 A
VCB 65 V
VCE 35 V
PDISS
60 W @ TC = 25 °C
TJ -65 °C to +200 °C
TSTG
-65 °C to +150 °C
θJC 2.9 °C/W
PACKAGE STYLE .380 STUD
.112x45°
A
BC
EE
ØC B
D
#8-32 UNC-2A
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
M IN IM U M
inches / mm
.220 / 5.59
.980 / 24.89
.370 / 9.40
.004 / 0.10
.320 / 8.13
.100 / 2.54
.450 / 11.43
.090 / 2.29
.155 / 3.94
E
HI
J
G
F
M A X IM U M
inches / mm
.230 / 5.84
.385 / 9.78
.007 / 0.18
.330 / 8.38
.130 / 3.30
.490 / 12.45
.100 / 2.54
.175 / 4.45
.750 / 19.05
CHARACTERISTICS TC = 25 °C
SYMBOL
NONETEST CONDITIONS
BVCEO
IC = 50 mA
BVCES
IC = 200 mA
BVEBO
IE = 10 mA
ICES VE = 28 V
hFE VCE = 5.0 V
IC = 1.0 A
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
35
65
4.0
5
10 100
UNITS
V
V
V
mA
---
Cob VCB = 28 V
f = 1.0 MHz
65 pF
PG
ηC VCE = 28 V
PIN = 7.0 W
f = 175 MHz
7.6
60
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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