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BLY89C 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BLY89C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BLY89C 자료 제공

부품번호 BLY89C 기능
기능 VHF power transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BLY89C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BLY89C 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BLY89C
VHF power transistor
Product specification
August 1986




BLY89C pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
VHF power transistor
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C
Breakdown voltage
Collector-emitter voltage
VBE = 0; IC = 25 mA
Collector-emitter voltage
open base; IC = 50 mA
Emitter-base voltage
open collector; IE = 10 mA
Collector cut-off current
VBE = 0; VCE = 18 V
Transient energy
L = 25 mH; f = 50 Hz
open base
VBE = 1,5 V; RBE = 33
D.C. current gain(1)
IC = 2,5 A; VCE = 5 V
Collector-emitter saturation voltage(1)
IC = 7,5 A; IB = 1,5 A
Transition frequency at f = 100 MHz(1)
IC = 2,5 A; VCE = 13,5 V
IC = 7,5 A; VCE = 13,5 V
Collector capacitance at f = 1 MHz
IE = Ie = 0; VCB = 15 V
Feedback capacitance at f = 1 MHz
IC = 100 mA; VCE = 15 V
Collector-stud capacitance
Note
1. Measured under pulse conditions: tp 200 µs; δ ≤ 0,02.
Product specification
BLY89C
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICES
> 36 V
> 18 V
> 4V
< 10 mA
E
E
hFE
VCEsat
fT
fT
Cc
Cre
Ccs
> 8 ms
> 8 ms
typ 50
10 to 80
typ 1,7 V
typ 800 MHz
typ 750 MHz
typ 65 pF
< 90 pF
typ 41 pF
typ 2 pF
August 1986
4

4페이지










BLY89C 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
VHF power transistor
handbook, full pagewidth
150
Product specification
BLY89C
72
L3
R1
L2 C3a
C1 C2 L1
L4
C3b
L8
C4
C5
+VCC
R2
L6 C6a
L5
L7
C6b
C7
C8
rivet
MGP808
Fig.8 Component layout and printed-circuit board for 175 MHz test circuit.
The circuit and the components are situated on one side of the epoxy fibre-glass board, the other side being fully
metallized to serve as earth. Earth connections are made by means of hollow rivets, whilst under the emitter leads Cu
straps are used for a direct contact between upper and lower sheets.
August 1986
7

7페이지


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