|
|
|
부품번호 | BLY93H 기능 |
|
|
기능 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | ||
제조업체 | Advanced Semiconductor | ||
로고 | |||
BLY93H
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI BLY93H is Designed for
Class C, 28 V High Band Applications
up to 175 MHz.
FEATURES:
• Common Emitter
• PG = 9.0 dB at 25 W/175 MHz
• Omnigold™ Metalization System
MAXIMUM RATINGS
IC 3.0 A
VCBO
65 V
VCEO
35 V
VEBO
4.0 V
PDISS
70 W @ TC = 25 °C
TJ -65 °C to +200 °C
TSTG
-65 °C to +150 °C
θJC 2.5 °C/W
PACKAGE STYLE .380 4L STUD
.112x45°
A
C
BE
C
EE
ØC B B E
D
#8-32 UNC-2A
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
M IN IM U M
inches / mm
.220 / 5.59
.980 / 24.89
.370 / 9.40
.004 / 0.10
.320 / 8.13
.100 / 2.54
.450 / 11.43
.090 / 2.29
.155 / 3.94
E
HI
J
G
F
M A X IM U M
inches / mm
.230 / 5.84
.385 / 9.78
.007 / 0.18
.330 / 8.38
.130 / 3.30
.490 / 12.45
.100 / 2.54
.175 / 4.45
.750 / 19.05
CHARACTERISTICS TC = 25 °C
SYMBOL
NONETEST CONDITIONS
BVCEO
IC = 50 mA
BVCES
IC = 10 mA
BVEBO
IE = 10 mA
ICES VCE = 36 V
hFE VCE = 5.0 V
IC = 1.25 A
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
35
65
4.0
4.0
10 100
UNITS
V
V
V
mA
---
COB
VCB = 28 V
f = 1.0 MHz
45
pF
GP VCE = 28 V
f = 175 MHz
9.0
--- dB
fT VCB = 28 V
IE = 200 mA
f = 100 MHz
625
MHz
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change witout notice.
REV. A
1/1
| |||
구 성 | 총 1 페이지수 | ||
다운로드 | [ BLY93H.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BLY93A | V.H.F POWER TRANSISTOR | New Jersey Semiconductor |
BLY93C | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |