BP 103 B
BP 103 BF
.NPN-Silizium-Fototransistor
NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter
Silicon NPN Phototransistor
NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter
BP 103 B
BP 103 BF
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm (BP 103 B)
und bei 880 nm (BP 103 BF)
q Hohe Linearität
q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
q Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q Computer-Blitzlichtgeräte
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Features
q Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm (BP 103 B) and of
880 nm (BP 103 BF)
q High linearity
q 5 mm LED plastic package
q Available in groups
Applications
q Computer-controlled flashes
q Light-reflecting switches for steady and
varying intensity
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Semiconductor Group
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BP 103 B
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Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
VCE = 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
IC = IPCEmin1) x 0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2
Symbol
Symbol
Wert
Value
-2
Einheit
Unit
-3 -4
IPCE
IPCE
tr, tf
0.63 ... 1.25 1 ... 2 ≥1.6 mA
3.4 5.4 8.6 mA
7.5 10 10 µs
VCEsat
130
140 150 mV
1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
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