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BPW34 데이터시트 PDF




Siemens Semiconductor Group에서 제조한 전자 부품 BPW34은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BPW34 자료 제공

부품번호 BPW34 기능
기능 Silicon PIN Photodiode
제조업체 Siemens Semiconductor Group
로고 Siemens Semiconductor Group 로고


BPW34 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BPW34 데이터시트, 핀배열, 회로
Silizium-PIN-Fotodiode
NEU: in SMT und als Reverse Gullwing
Silicon PIN Photodiode
NEW: in SMT and as Reverse Gullwing
BPW 34
BPW 34 S
BPW 34 S (E9087)
Cathode marking
4.0
3.7
5.4
4.9 Chip position
4.5
4.3
0.6
0.4
0.5
0.3
0.8
0.6
0.6
0.35 0.4
0.2
0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Photosensitive area
2.65 mm x 2.65 mm
BPW 34
Approx. weight 0.1 g
GEO06643
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen
im Bereich von 400 nm bis 1100 nm
q Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
q BPW 34 S/(E9087): geeignet für
Vapor-Phase Löten und IR-Reflow
Löten (JEDEC level 4)
Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q IR-Fernsteuerungen
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Features
q Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
q Short switching time (typ. 20 ns)
q DIL plastic package with high packing
density
q BPW 34 S/(E9087): suitable for
vapor-phase and IR-reflow soldering
(JEDEC level 4)
Applications
q Photointerrupters
q IR remote controls
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
1998-08-27




BPW34 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BPW 34, BPW 34 S
BPW 34 S (E9087)
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d)
Bezeichnung
Description
Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0
Forward voltage
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 10 V, λ = 850 nm
Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 850 nm
Detection limit
Symbol
Symbol
ISC
tr, tf
VF
C0
TCV
TCI
NEP
D*
Wert
Value
80
20
1.3
72
– 2.6
0.18
4.1 × 10– 14
6.6 × 1012
Einheit
Unit
µA
ns
V
pF
mV/K
%/K
W
Hz
cm · Hz
W
Semiconductor Group
4
1998-08-27

4페이지












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