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PDF BPW34FA Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BPW34FA | |
| Descripción | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter | |
| Fabricantes | Siemens Semiconductor Group | |
| Logotipo |  |
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Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Neu: in SMT und als Reverse Gullwing
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
New: in SMT and as Reverse Gullwing
BPW 34 FA
BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
Cathode marking
4.0
3.7
5.4
4.9 Chip position
4.5
4.3
0.6
0.4
0.5
0.3
0.8
0.6
0.6
0.35 0.4
0.2
0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Photosensitive area
2.65 mm x 2.65 mm
Approx. weight 0.1 g
GEO06643
BPW 34 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für den Wellenlängen-
bereich von 830 nm bis 880 nm
q Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
q BPW 34 FAS/(E9087): geeignet für
Vapor-Phase Löten und IR-Reflow Löten
Anwendungen
q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Gerätefernsteuerung
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
q Especially suitable for the wavelength range
of 830 nm to 880 nm
q Short switching time (typ. 20 ns)
q DIL plastic package with high packing
density
q BPW 34 FAS/(E9087): Suitable for
vapor-phase and IR-reflow soldering
Applications
q IR-remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, remote controls of various
equipment
q Photointerrupters
Semiconductor Group
1
1998-08-27
1 page  
BPW 34 FA, BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
Relative spectral sensitivity
Srel = f (λ)
100 OHF01430
Srel %
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400 600
800 1000 nm 1200
λ
Dark current
IR = f (VR), E = 0
4000
Ι R pA
OHF00080
3000
2000
1000
0
0 5 10 15 V 20
VR
Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO = f (Ee)
10 3
µA
ΙP
OHF01428 10 4
mV
VO
Total power dissipation
Ptot = f (TA)
160
Ptot
mW
140
10 2 10 3 120
VO 100
10 1 10 2 80
OHF00958
Ι P 60
10 0 10 1 40
10 -1 10 0
10 0 10 1 10 2 µW/cm 2 10 4
Ee
Capacitance
C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0
100
OHF00081
C pF
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10 -2 10 -1 10 0
10 1 V 10 2
VR
20
0 0 20 40 60 80 ˚C 100
TA
Dark current
IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0
10 3
Ι R nA
OHF00082
10 2
10 1
10 0
10 -1
0
20 40 60 80 ˚C 100
TA
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
40
30
20 10
0
ϕ
1.0
50
0.8
60 0.6
OHF01402
70 0.4
80 0.2
0
90
100
1.0 0.8 0.6
0.4
0 20 40 60 80 100 120
Semiconductor Group
5
1998-08-27
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BPW34F | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter | Siemens Semiconductor Group |
| BPW34FA | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter | Siemens Semiconductor Group |
| BPW34FA | Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter |  OSRAM |
| BPW34FAS | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter | Siemens Semiconductor Group |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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